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1. (WO2014083942) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/083942    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/077325
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 08.10.2013
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : HIYOSHI, Toru; (JP).
SAITOH, Yu; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-259550 28.11.2012 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) A silicon carbide substrate (10) contains a first doped region (17), a well region (13) which is touching the first doped region (17), and a second doped region (14) separated from the first doped region (17) by the well region (13). A first principal surface (10a) contains a first region (10d) which touches a channel region (CH), and a second region (10f) distinct from the first region (10d). A material (22a) containing silicon is formed on the second doped region (10f). A first silicon dioxide region (15b) is formed on the first region (10d). The material (22a) containing silicon is oxidized to form a second silicon dioxide region (15c). A gate runner (2) is formed, the gate runner (2) being electrically connected to the gate electrode (27), and in a position facing the second silicon dioxide region (15c). As a result of this configuration, it is possible to provide a silicon carbide semiconductor device and a method for producing same, in which surface roughness of the substrate can be suppressed, while improving the insulating performance between the gate runner and the substrate.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium (10) contenant une première région dopée (17), une région de puits (13) qui est en contact avec la première région dopée (17), et une seconde région dopée (14) séparée de la première région dopée (17) par la région de puits (13). Une première surface principale (10a) contient une première région (10d) qui est en contact avec une région de canal (CH), et une seconde région (10f) distincte de la première région (10d). Un matériau (22a) contenant du silicium est formé sur la seconde région dopée (10f). Une première région de dioxyde de silicium (15b) est formée sur la première région (10d). Le matériau (22a) contenant du silicium est oxydé pour former une seconde région de dioxyde de silicium (15c). Un canal de grille (2) est formé, le canal de grille (2) étant électriquement connecté à l'électrode grille (27), et dans une position en regard de la seconde région de dioxyde de silicium (15c). Grâce à cette configuration, il est possible de fournir un dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium et un procédé pour la production d'un tel dispositif, dans lequel, la rugosité de surface du substrat peut être supprimée, tout en améliorant la performance d'isolation entre le canal de grille et le substrat.
(JA) 炭化珪素基板(10)は、第1の不純物領域(17)、第1の不純物領域(17)と接するウェル領域(13)と、ウェル領域(13)によって第1の不純物領域(17)と隔てられた第2の不純物領域(14)とを含む。第1の主面(10a)は、チャネル領域(CH)と接する第1の領域(10d)と、第1の領域(10d)とは異なる第2の領域(10f)とを含む。第2の領域(10f)上に珪素を含む材料(22a)が形成される。第1の領域(10d)上に第1の二酸化珪素領域(15b)が形成される。珪素を含む材料(22a)を酸化して第2の二酸化珪素領域(15c)が形成される。ゲート電極(27)と電気的に接続され、かつ第2の二酸化珪素領域(15c)に対向した位置にゲートランナー(2)が形成される。これにより、基板の表面荒れを抑制しつつ、ゲートランナーと基板との絶縁性能を向上可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)