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1. (WO2014083908) MODULE À HAUTE FRÉQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/083908    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/073894
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 05.09.2013
CIB :
H05K 3/46 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : TAGO, Shigeru; (JP)
Mandataire : KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-261764 29.11.2012 JP
Titre (EN) HIGH FREQUENCY MODULE
(FR) MODULE À HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波モジュール
Abrégé : front page image
(EN)A high frequency module (101) is provided with: a plurality of insulating base material layers (1a-1f), which constitute a multilayer substrate (10) by being laminated, and which form a cavity therein, said insulating base material layers being formed of a thermoplastic resin; an IC chip (20), which is disposed in the cavity, and which includes a noise generating source (NS); and planar ground conductive bodies (2c, 2e) that are formed in the multilayer substrate (10). The planar ground conductive bodies (2c, 2e) are disposed in layers that are not exposed to the inner surface of the cavity, and the planar ground conductive bodies are provided with interlayer connecting conductive bodies (3e, 3f, 3h, 3i) that protrude in the direction from the planar ground conductive bodies (2c, 2e) to the noise generating source (NS).
(FR)La présente invention concerne un module à haute fréquence (101) qui est pourvu : d'une pluralité de couches de matériau de base isolant (1a-1f), qui constituent un substrat à couches multiples (10) en étant stratifiées, et dans lesquelles est formée une cavité, lesdites couches de matériau de base isolant étant formées d'une résine thermoplastique ; d'une puce IC (20), qui est disposée dans la cavité, et qui comprend une source de génération de bruit (NS) ; et de corps conducteurs de terre plans (2c, 2e) qui sont formés dans le substrat à couches multiples (10). Les corps conducteurs de terre plans (2c, 2e) sont disposés en couches qui ne sont pas exposées à la surface intérieure de la cavité, et les corps conducteurs de terre plans sont pourvus de corps conducteurs de connexion entre couches (3e, 3f, 3h, 3i) qui font saillie dans la direction des corps conducteurs de terre plans (2c, 2e) à la source de génération de bruit (NS).
(JA) 高周波モジュール(101)は、積層により多層基板(10)を構成するとともに内部にキャビティを形成する、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁性基材層(1a~1f)と、キャビティ内に配置される、ノイズ発生源(NS)を含むICチップ(20)と、多層基板(10)内に形成される平面グランド導体(2c,2e)とを備える。平面グランド導体(2c,2e)はキャビティの内面に露出しない層に配置されていて、平面グランド導体(2c,2e)からノイズ発生源(NS)方向へ突出する層間接続導体(3e,3f,3h,3i)を備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)