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1. (WO2014083898) DISPOSITIF À THERMISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/083898    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/072705
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 26.08.2013
CIB :
H01C 7/04 (2006.01), H01C 7/02 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : MIURA Tadamasa; (JP).
KAWATA Shuichi; (JP).
YAMAMOTO Yuki; (JP)
Mandataire : PROFIC PC; Iyo Building, 2-21, Minamihommachi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-259841 28.11.2012 JP
Titre (EN) THERMISTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À THERMISTANCE
(JA) サーミスタ装置
Abrégé : front page image
(EN)In order to further improve stress tolerance, a thermistor device (1) is provided with: a first base material section (11) formed of a resin; a thermistor thin film (22) formed on a metal base material (21); a thermistor element (14), which includes first and second external electrodes (23a, 23b) that are formed on the thermistor thin film (22); and a first lead electrode (12) and a second lead electrode (13), which are formed on a main surface of the first base material section (11), and which have the first external electrode (23a) and the second external electrode (23b) connected thereto. Each of the metal base material (21) and the thermistor thin film (22) is warped between the first external electrode (23a) and the second external electrode (23b).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à thermistance qui, afin d'améliorer la tolérance à la contrainte, est doté : d'une première section de matériau de base (11) formée dans une résine ; d'un mince film à thermistance (22) formé sur un matériau de base métallique (21) ; un élément à thermistance (14) qui comprend une première et une seconde électrode externe (23a ,23b) formées sur le mince film à thermistance (22) ; et une première électrode en plomb (12) ainsi qu'une second électrode en plomb (13) qui sont formées sur une surface principale de la première section de matériau de base (11), et auxquelles sont reliées la première électrode externe (23a) et la seconde électrode externe (23b). Le matériau de base métallique (21) et le mince film de thermistance (22) sont tous deux gauchis entre la première électrode externe (23a) et la seconde électrode externe (23b).
(JA) ストレス耐性をより向上させるために、サーミスタ装置(1)は、樹脂製の第一基材部(11)と、金属基材(21)上に形成されたサーミスタ薄膜(22)と、該サーミスタ薄膜(22)上に形成された第一および第二外部電極(23a,23b)を含むサーミスタ素子(14)と、第一基材部(11)の主面上に形成され、第一外部電極(23a)および第二外部電極(23b)が接続される第一リード電極(12)および第二リード電極(13)と、を備えている。金属基材(21)およびサーミスタ薄膜(22)のそれぞれは、第一外部電極(23a)および第二外部電極(23b)の間で撓んでいる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)