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1. (WO2014083240) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE COMPRENANT UNE COUCHE DE PASSIVATION SUR UNE SURFACE D'UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/083240    N° de la demande internationale :    PCT/FI2013/051090
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 21.11.2013
CIB :
C23C 16/455 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 31/0216 (2014.01)
Déposants : BENEQ OY [FI/FI]; Ensimmäinen savu FI-01510 Vantaa (FI)
Inventeurs : LI, Shuo; (FI)
Mandataire : PAPULA OY; P.O. Box 981 FI-00101 Helsinki (FI)
Données relatives à la priorité :
20126251 29.11.2012 FI
Titre (EN) A METHOD FOR FABRICATING A STRUCTURE COMPRISING A PASSIVATION LAYER ON A SURFACE OF A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE COMPRENANT UNE COUCHE DE PASSIVATION SUR UNE SURFACE D'UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for fabricating a structure comprising a passivation layer on a surface of a substrate comprising crystalline silicon for reducing recombination of charge carriers on the surface of the substrate, and to a corresponding structure.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure comprenant une couche de passivation disposée sur une surface d'un substrat comprenant du silicium cristallin pour réduire une recombinaison de porteurs de charge sur la surface du substrat. Elle concerne une structure correspondante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)