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1. (WO2014082897) CELLULE DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE (MRAM) À FAIBLE CONSOMMATION ÉNERGÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/082897    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/074194
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 19.11.2013
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : CROCUS TECHNOLOGY SA [FR/FR]; 5, place Robert Schuman F-38025 Grenoble (FR)
Inventeurs : LOMBARD, Lucien; (FR).
PREJBEANU, Ioan Lucian; (FR)
Mandataire : P&TS SA; Av. J-J. Rousseau 4 PO BOX 2848 CH-2001 Neuchâtel (CH)
Données relatives à la priorité :
12290413.9 27.11.2012 EP
Titre (EN) MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) CELL WITH LOW POWER CONSUMPTION
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE (MRAM) À FAIBLE CONSOMMATION ÉNERGÉTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A magnetic random access memory (MRAM) cell (1) comprising a magnetic tunnel junction (2) containing: a storage layer (23) comprising at least one storage ferromagnetic layer (231, 232), each of said at least one storage ferromagnetic layer having a storage magnetization (234, 235);an antiferromagnetic storage layer (24) pinning the storage magnetization (234, 235) at a low threshold temperature and freeing them at a high temperature threshold;a reference layer (21); and a tunnel barrier layer (22) between the reference layer (21) and the storage layer (23);the magnetic tunnel junction (2) further comprising a free ferromagnetic layer (60) having a free magnetization (601) adapted to induce a magnetic stray field (55) magnetically coupling the free ferromagnetic layer (60) with the storage layer (23); such that said storage magnetization (234, 235) can be switched by the magnetic stray field (55) when the magnetic tunnel junction (2) is at the high temperature threshold. The disclosed MRAM cell has low power consumption.
(FR)L'invention concerne une cellule (1) de mémoire vive magnétique (MRAM) comportant une jonction tunnel magnétique (2) contenant: une couche (23) de stockage comportant au moins une couche ferromagnétique (231, 232) de stockage, ladite ou chacune desditess couches ferromagnétiques de stockage présentant une aimantation (234, 235) de stockage; une couche anti-ferromagnétique (24) de stockage bloquant l'aimantation (234, 235) de stockage à une faible température seuil et libérant celle-ci à une température seuil élevée; une couche (21) de référence; et une couche (22) de barrière à effet tunnel située entre la couche (21) de référence et la couche (23) de stockage; la jonction tunnel magnétique (2) comportant en outre une couche ferromagnétique libre (60) présentant une aimantation libre (601) prévue pour induire un champ magnétique parasite (55) couplant magnétiquement la couche ferromagnétique libre (60) avec la couche (23) de stockage; de telle sorte que ladite aimantation (234, 235) de stockage puisse être commutée par le champ magnétique parasite (55) lorsque la jonction tunnel magnétique (2) se trouve au seuil de température élevée. La cellule MRAM décrite présente une fable consommation énergétique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)