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1. (WO2014082554) APPAREIL DE DÉPÔT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/082554    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/087775
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 25.11.2013
CIB :
C23C 14/40 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01)
Déposants : BEIJING NMC CO., LTD. [CN/CN]; NO.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176 (CN)
Inventeurs : CHEN, Peng; (CN).
ZHAO, Mengxin; (CN).
DING, Peijun; (CN).
WANG, Hougong; (CN).
WU, Xuewei; (CN).
LIU, Jiansheng; (CN).
GENG, Bo; (CN).
QIU, Guoqing; (CN).
WEN, Lihui; (CN)
Mandataire : TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; ZHANG, Tianshu 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210495442.9 28.11.2012 CN
Titre (EN) PHYSICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS
(FR) APPAREIL DE DÉPÔT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR
(ZH) 物理气相沉积装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a physical vapor deposition apparatus, comprising: a reaction chamber, a substrate support component, a DC power supply, and a radio frequency power supply; the substrate support component is disposed at the bottom of the reaction chamber opposite a sputtering target; the DC power supply is coupled to the sputtering target; a radio frequency feed component is coupled to the sputtering target, and comprises a distribution ring and a plurality of distribution bars disposed alternately around the periphery of the distribution ring; the distribution ring is coupled to the radio frequency power supply, and is coupled to the sputtering target via the distribution bars. The physical vapor deposition apparatus in an embodiment of the present invention reduces the negative bias generated on the target, thus reducing the damage to a substrate or wafer, and remarkably improves the deposition rate, thus improving processing efficiency.
(FR)L'invention porte sur un appareil de dépôt physique en phase vapeur, comprenant : une chambre de réaction, un composant support de substrat, une alimentation électrique en courant continu et une alimentation en énergie radiofréquence. Le composant support de substrat est disposé au fond de la chambre de réaction à l'opposé d'une cible de pulvérisation cathodique; l'alimentation électrique en courant continu est couplée à la cible de pulvérisation cathodique; un composant d'apport de radiofréquences est couplé à la cible de pulvérisation cathodique et comprend un anneau de distribution et une pluralité de barres de distribution disposées de façon alternée sur la périphérie de l'anneau de distribution; et l'anneau de distribution est couplé à l'alimentation en énergie radiofréquence et est couplé à la cible de pulvérisation cathodique par l'intermédiaire des barres de distribution. Dans un mode de réalisation de la présente invention, l'appareil de dépôt physique en phase vapeur réduit la polarisation négative produite sur la cible, ce qui réduit ainsi l'endommagement d'un substrat ou d'une tranche, et améliore remarquablement la vitesse de dépôt, d'où une efficacité de traitement améliorée.
(ZH)本发明公开了一种物理气相沉积装置,包括:反应腔室;基片支撑部件,所述基片支撑部件设置在所述反应腔室的底部且与所述溅射靶材相对;直流电源,所述直流电源耦接于所述溅射靶材;射频电源,所述射频馈入部件耦接于所述溅射靶材,所述射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的周向间隔设置的多条分配条,所述分配环与所述射频电源耦接,所述分配环通过所述分配条耦接至所述溅射靶材。根据本发明实施例的物理气相沉积装置,降低了在靶材上产生的负偏压,进而减小了对基片或晶圆产生的损伤,且明显提高了沉积速率,从而提高了工艺效率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)