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1. (WO2014082337) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/082337    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086129
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 07.12.2012
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Inventeurs : ZHU, Huilong; (US).
XU, Qiuxia; (CN).
ZHANG, Yanbo; (CN).
YANG, Hong; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT AND TRADEMARK AGENT LTD.; 11/F., Bldg. D, International Finance and Economics Center No.87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210506055.0 30.11.2012 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DERNIER
(ZH) 半导体器件及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a semiconductor device and a manufacturing method thereof. The method for manufacturing the semiconductor device comprises: forming a source/drain region (107a, 107b) in a semiconductor substrate (101); forming an interface oxide layer (110a, 110b) on the semiconductor substrate (101); forming a high-k gate dielectric (111a, 111b) on the interface oxide layer (110a, 110b); forming a first metal gate layer (112a, 112b) on the high-k gate dielectric (111a, 111b); injecting a doping agent in the first metal gate layer (112a, 112b) by using conformal doping; and performing annealing to change an effective work function of a gate stack, the gate stack comprising the first metal gate layer (112a, 112b), the high-k gate dielectric (111a, 111b), and the interface oxide layer (110a, 110b).
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur et à un procédé de fabrication de ce dernier. Le procédé permettant de fabriquer le dispositif semi-conducteur consiste à : former une région de source/drain (107a, 107b) dans un substrat semi-conducteur (101) ; former une couche d'oxyde interfaciale (110a, 110b) sur le substrat semi-conducteur (101) ; former un diélectrique de grille à constante diélectrique élevée (111a, 111b) sur la couche d'oxyde interfaciale (110a, 110b) ; former une première couche de grille métallique (112a, 112b) sur le diélectrique de grille à constante diélectrique élevée (111a, 111b) ; injecter un agent dopant dans la première couche de grille métallique (112a, 112b) à l'aide d'un dopage conforme ; et effectuer un recuit pour changer une fonction de travail efficace d'un empilement de grille, l'empilement de grille comprenant la première couche de grille métallique (112a, 112b), le diélectrique de grille à constante diélectrique élevée (111a, 111b) et la couche d'oxyde interfaciale (110a, 110b).
(ZH)提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括:在半导体衬底(101)中形成源/漏区(107a,107b);在半导体衬底(101)上形成界面氧化物层(110a,110b);在界面氧化物层(110a,110b)上形成高K栅介质(111a,111b);在高K栅介质(111a,111b)上形成第一金属栅层(112a,112b);通过共形掺杂在第一金属栅层(112a,112b)中注入掺杂剂;以及进行退火以改变栅叠层的有效功函数,其中栅叠层包括第一金属栅层(112a,112b)、高K栅介质(111a,111b)和界面氧化物层(110a,110b)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)