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1. (WO2014082260) STRUCTURE D'ENCAPSULATION DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/082260    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/085569
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 29.11.2012
CIB :
H01L 33/58 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Déposants : SIMM, Mingji [CN/CN]; (CN)
Inventeurs : SIMM, Mingji; (CN)
Mandataire : LUNGTIN INTERNATIONAL INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.; 18th Floor, Tower B, Grand Place No.5 Huizhong Road, Chaoyang District Beijing 100101 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE ENCAPSULATION STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D'ENCAPSULATION DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(ZH) 发光二级管封装结构
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a light emitting diode (LED) encapsulation structure (Z), comprising: an electrode unit (1), a shell unit (2), a light emitting unit (3), a nonwoven fabric (4), and a lens unit (8). The electrode unit (1) comprises a first electrode (11) and a second electrode (12); the shell unit (2) comprises a reflection hood body (21) having an accommodation space (23), the reflection hood body (21) encapsulating a part of the first electrode (11) and the second electrode (12), and the other parts of the first electrode (11) and the second electrode (12) extend out of the reflection hood body (21). The light emitting unit (3) comprises at least one light emitting element (31) disposed in the accommodation space (23), the at least one light emitting element (31) being electrically connected to the first electrode (11) and the second electrode (12). The nonwoven fabric (4) is disposed at the top of the reflection hood body (21) and covers at least one light emitting element (31). The lens unit (8) is disposed on the nonwoven fabric (4). The LED encapsulation structure enlarges the light emitting angle of the LED chip, thus providing a wide-angle light pattern.
(FR)Cette invention concerne une structure d'encapsulation (Z) de diode électroluminescente (DEL), comprenant : un ensemble d'électrodes (1), une unité formant boîtier (2), une unité électroluminescente (3), un tissu non tissé (4) et une unité formant lentille (8). Ledit ensemble d'électrodes (1) comprend une première électrode (11) et une seconde électrode (12) ; l'unité formant boîtier (2) comprend un corps réfléchissant formant embout (21) présentant un espace d'accueil (23), ledit corps réfléchissant formant embout (21) encapsulant une partie de la première électrode (11) et de la seconde électrode (12), les autres parties de la première électrode (11) et de la seconde électrode (12) s'étendant à l'extérieur du corps réfléchissant formant embout (21). L'unité électroluminescente (3) comprend au moins un élément électroluminescent (31) disposé dans l'espace d'accueil (23), ledit élément électroluminescent (31) étant en contact électrique avec la première électrode (11) et la seconde électrode (12). Le tissu non tissé (4) est disposé au-dessus du corps réfléchissant formant embout (21) et il recouvre au moins un élément électroluminescent (31). L'unité formant lentille (8) est disposée sur le tissu non tissé (4). La structure d'encapsulation de DEL selon l'invention assure l'agrandissement de l'angle d'émission lumineuse de la puce à DEL de manière à produire un motif de distribution lumineuse à grand angle.
(ZH)提供了一种发光二极管封装结构(Z),包括:一电极单元(1)、一壳体单元(2)、一发光单元(3)、一不织布(4)及一透镜单元(8)。电极单元(1)包括一第一电极(11)及一第二电极(12)。壳体单元(2)包括一具有容置空间(23)的反射罩体(21),其中反射罩体(21)包覆第一电极(11)及第二电极(12)的其中一部分,且第一电极(11)和第二电极(12)的另一部分外露于反射罩体(21)。发光单元(3)包括至少一设置于容置空间(23)内的发光元件(31),其中至少一发光元件(31)电性连接于第一电极(11)和第二电极(12)。不织布(4)设置在反射罩体(21)顶部上且遮盖至少一发光元件(31)。透光单元(8)设置在不织布(4)上。该发光二极管封装结构扩大了发光二极管芯片的发光角度,以提供广角度的光型。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)