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1. (WO2014081983) STRUCTURE DE TRANSFORMATEUR HYBRIDE SUR DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/081983    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/071349
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 21.11.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.09.2014    
CIB :
H01L 49/02 (2006.01), H01F 19/04 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/64 (2006.01), H01F 19/08 (2006.01), H01F 27/28 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International Ip Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US)
Inventeurs : LO, Chi Shun; (US).
LAN, Je- Hsiung; (US).
VELEZ, Mario Francisco; (US).
KIM, Jonghae; (US)
Mandataire : TALPALATSKY, Sam; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US).
MIN, Donald D.; Attention: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
13/684,103 21.11.2012 US
Titre (EN) HYBRID TRANSFORMER STRUCTURE ON SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) STRUCTURE DE TRANSFORMATEUR HYBRIDE SUR DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Several novel features pertain to a hybrid transformer formed within a semiconductor die having multiple layers. The hybrid transformer includes a first set of windings (702) positioned on a first layer of the die. The first layer is positioned above a substrate of the die. The first set of windings includes a first port (706) and a second port (708). The first set of windings is arranged to operate as a first inductor. The hybrid transformer includes a second set of windings (704) positioned on a second layer of the die. The second layer is positioned above the substrate. The second set of windings includes a third port (710), a fourth port (712) and a fifth port (714). The second set of windings is arranged to operate as a second inductor and a third inductor. The first set of windings and the second set of windings are arranged to operate as a vertical coupling hybrid transformer.
(FR)L'invention concerne plusieurs caractéristiques innovantes relatives à un transformateur hybride formé à l'intérieur d'une pastille à semiconducteurs comprenant des couches multiples. Le transformateur hybride comprend un premier ensemble d'enroulements (702) positionné sur une première couche de la pastille. La première couche est positionnée au-dessus d'un substrat de la pastille. Le premier ensemble d'enroulements comprend une première prise (706) et une deuxième prise (708). Le premier ensemble d'enroulements est disposé de façon à fonctionner comme un premier inducteur. Le transformateur hybride comprend un deuxième ensemble d'enroulements (704) positionné sur une deuxième couche de la pastille. La deuxième couche est positionnée au-dessus du substrat. Le deuxième ensemble d'enroulements comprend une troisième prise (710), une quatrième prise (712) et une cinquième prise (714). Le deuxième ensemble d'enroulements est disposé de façon à fonctionner comme un deuxième inducteur et un troisième inducteur. Le premier ensemble d'enroulements et le deuxième ensemble d'enroulements sont disposés de façon à fonctionner comme un transformateur hybride à couplage vertical.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)