WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014081926) OBTENTION D'UNE HAUTEUR D'AILES SENSIBLEMENT UNIFORME PARMI LES ÉLÉMENTS D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR À PIÈGES DE CHARGES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/081926    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/071214
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 21.11.2013
CIB :
H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SPANSION LLC [US/US]; 915 DeGuigne Dr. Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : HUI, Angela, Tai; (US).
MATSUMOTO, David; (US).
CHEN, Tung-Sheng; (US)
Mandataire : LEE, Michael, Q; Sterne, Kessler, Goldstein & Fox PLLC 1100 New York Ave, NW, DC Washington, DC 20005 (US)
Données relatives à la priorité :
13/685,222 26.11.2012 US
Titre (EN) FORMING A SUBSTANTIALLY UNIFORM WING HEIGHT AMONG ELEMENTS IN A CHARGE TRAP SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) OBTENTION D'UNE HAUTEUR D'AILES SENSIBLEMENT UNIFORME PARMI LES ÉLÉMENTS D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR À PIÈGES DE CHARGES
Abrégé : front page image
(EN)During formation of a charge trap separation in a semiconductor device, an organic material is formed over a plurality of cells. This organic material is selectively removed in order to create a flat upper surface. An etching process is performed to remove the organic material as well as a charge trap layer formed over the plurality of cells, thereby exposing underlying first oxide layers in each of the cells and forming charge trap separation. Further, because of the selective removal step, the etch results in substantially uniform wing heights among the separated cells.
(FR)L'invention a pour objet, au cours de la formation d'une séparation entre pièges de charges dans un dispositif à semiconducteurs, de former un matériau organique par-dessus une pluralité de cellules. Le matériau organique est éliminé sélectivement afin de créer une surface supérieure plate. Un processus de gravure est effectué pour éliminer le matériau organique ainsi qu'une couche de pièges de charges formée par-dessus la pluralité de cellules, découvrant ainsi des premières couches d'oxyde sous-jacentes dans chacune des cellules et formant une séparation entre pièges de charges. En outre, en raison de l'étape d'élimination sélective, la gravure se traduit par des hauteurs d'ailes sensiblement uniformes entre les cellules séparées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)