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1. (WO2014081696) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UN SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/081696    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/070730
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 19.11.2013
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/34 (2006.01)
Déposants : FIRST SOLAR MALAYSIA SDN. BHD. [MY/MY]; 8, Jalan Hi-Tech 3/3 Zon Industri Fasa 3, Kulim Hi-Tech Park Kulim, Kedah Darul Aman, 09000 (MY) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
FOUST, Donald Franklin [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : FOUST, Donald Franklin; (US)
Mandataire : MARSHALL, Alan, R.; Dority & Manning, P.A. P O Box 1449 Greenville, South Carolina 29602-1449 (US)
Données relatives à la priorité :
13/682,876 21.11.2012 US
Titre (EN) METHOD FOR TREATING A SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UN SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Methods for treating a semiconductor material, and for making devices containing a semiconducting material, are presented. One embodiment is a method for treating a semiconductor material that includes a chalcogenide. The method comprises contacting at least a portion of the semiconductor material with a chemical agent. The chemical agent comprises a solvent, and an iodophor dissolved in the solvent.
(FR)L'invention concerne des procédés de traitement d'un matériau semi-conducteur, et de fabrication de dispositifs contenant un matériau semi-conducteur. Un mode de réalisation est un procédé de traitement d'un matériau semi-conducteur qui comprend un chalcogénure. Le procédé comprend la mise en contact d'au moins une partie du matériau semi-conducteur avec un agent chimique. L'agent chimique comprend un solvant, et un iodophore dissous dans le solvant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)