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1. (WO2014081604) FILMS ÉPAIS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN POUR DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES OU SIMILAIRES, ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/081604    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/069980
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 14.11.2013
CIB :
C30B 25/18 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : GUARDIAN INDUSTRIES CORP. [US/US]; 2300 Harmon Road Auburn Hills, MI 48326-1714 (US)
Inventeurs : VEERASAMY, Vijayen, S.; (US).
BRACAMONTE, Martin, D.; (US)
Mandataire : RHOA, Joseph, A.; Nixon & Vanderhye P.C. 901 North Glebe Road, 11th Floor Arlington, VA 22203-1808 (US)
Données relatives à la priorité :
13/682,786 21.11.2012 US
Titre (EN) POLYCRYSTALLINE SILICON THICK FILMS FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES OR THE LIKE, AND METHODS OF MAKING SAME
(FR) FILMS ÉPAIS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN POUR DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES OU SIMILAIRES, ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing a polycrystalline silicon film includes: depositing a catalyst layer including nickel and depositing nickel nanoparticles on a substrate; exposing the catalyst layer and the nanoparticles to at least silane gas; and heat treating the substrate coated with the catalyst layer and the nanoparticles during at least part of the exposing to silane gas in growing a silicon based film on the substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un film en silicium polycristallin, consistant à : déposer une couche de catalyseur comprenant du nickel et déposer des nanoparticules de nickel sur un substrat ; exposer la couche de catalyseur et les nanoparticules à au moins un gaz silane ; et à traiter thermiquement le substrat revêtu de la couche de catalyseur et des nanoparticules pendant au moins une partie de l'exposition au gaz silane lors de la croissance d'un film à base de silicium sur le substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)