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1. (WO2014081572) SCHÉMAS D'EFFACEMENT SÉCURISÉ ET RAPIDE POUR MÉMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/081572    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/068665
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 06.11.2013
CIB :
G06F 21/79 (2013.01), G06F 21/60 (2013.01), G11C 16/14 (2006.01)
Déposants : APPLE INC. [US/US]; 1 Infinite Loop Cupertino, California 95014 (US)
Inventeurs : KASORLA, Yoav; (US).
GURGI, Eyal; (US)
Mandataire : KIVLIN, Noel B.; Meyertons, Hood, Kivlin, Kowert & Goetzel, P.C. P.O. Box 398 Austin, Texas 78767-0398 (US)
Données relatives à la priorité :
13/683,569 21.11.2012 US
Titre (EN) FAST SECURE ERASURE SCHEMES FOR NON-VOLATILE MEMORY
(FR) SCHÉMAS D'EFFACEMENT SÉCURISÉ ET RAPIDE POUR MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)A method includes, in a memory with multiple analog memory cells, storing one or more data pages in respective groups of the memory cells using a first programming configuration having a first storage speed. Upon receiving a request to securely erase a data page from the memory, one or more of the memory cells in a group that stores the data page are re-programmed using a second programming configuration having a second storage speed that is faster than the first storage speed.
(FR)L'invention concerne un procédé qui, dans une mémoire à multiples cellules de mémoire analogique, consiste à stocker une ou plusieurs pages de données dans des groupes respectifs de cellules de mémoire au moyen d'une première configuration de programmation ayant une première vitesse de stockage. Après avoir reçu une demande d'effacement sécurisé d'une page de données de la mémoire, une ou plusieurs des cellules de mémoire qui stocke la page de données sont reprogrammées au moyen d'une deuxième configuration de programmation ayant une deuxième vitesse de stockage supérieure à la première vitesse de stockage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)