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1. (WO2014081518) TRANSISTORS, CELLULES DE MÉMOIRE ET CONSTRUCTIONS SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/081518    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/065102
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 15.10.2013
CIB :
H01L 27/108 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; ( A Corporation of the State of Delaware) 8000 South Federal Way Boise, ID 83716 (US)
Inventeurs : RAMASWAMY, Nirmal; (US).
PRALL, Kirk, D.; (US).
KINNEY, Wayne; (US)
Mandataire : MATKIN, Mark, S.; Wells St. John P.S. 601 West First Avenue Suite 1300 Spokane, WA 99201 (US)
Données relatives à la priorité :
13/682,190 20.11.2012 US
Titre (EN) TRANSISTORS, MEMORY CELLS AND SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS
(FR) TRANSISTORS, CELLULES DE MÉMOIRE ET CONSTRUCTIONS SEMI-CONDUCTRICES
Abrégé : front page image
(EN)Some embodiments include a semiconductor construction having a gate extending into a semiconductor base. Conductively-doped source and drain regions are within the base adjacent the gate. A gate dielectric has a first segment between the source region and the gate, a second segment between the drain region and the gate, and a third segment between the first and second segments. At least a portion of the gate dielectric comprises ferroelectric material. In some embodiments the ferroelectric material is within each of the first, second and third segments. In some embodiments, the ferroelectric material is within the first segment or the third segment. In some embodiments, a transistor has a gate, a source region and a drain region; and has a channel region between the source and drain regions. The transistor has a gate dielectric which contains ferroelectric material between the source region and the gate.
(FR)Certains modes de réalisation comprennent une construction semi-conductrice ayant une grille s'étendant dans une base semi-conductrice. Les régions de source et de drain dopées de manière conductrice sont dans la base adjacente à la grille. Un diélectrique de grille présente un premier segment situé entre la région de source et la grille, un second segment situé entre la région de drain et la grille, et un troisième segment entre les premier et deuxième segments. Au moins une partie du diélectrique de grille comprend un matériau ferroélectrique. Dans certains modes de réalisation, le matériau ferroélectrique est à l'intérieur de chacun des premier, deuxième et troisième segments. Dans certains modes de réalisation de l'invention, le matériau ferroélectrique est dans le premier segment ou le troisième segment. Dans certains modes de réalisation, un transistor présente une grille, une région source et une région de drain et possède une région de canal entre les régions de source et de drain. Le transistor a un diélectrique de grille, qui contient un matériau ferroélectrique entre la région de source et la grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)