WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014081488) FORMATION D'AILETTE FACTICE PAR FAISCEAU IONIQUE À AMAS GAZEUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/081488    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/055536
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 19.08.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : CHENG, Kangguo; (US).
HARAN, Balasubramanian; (US).
KHAKIFIROOZ, Ali; (US).
PONOTH, Shom; (US).
STANDAERT, Theodorus; (US).
YAMASHITA, Tenko; (US)
Mandataire : SCHNURMANN, H., Daniel; IBM Corporation 2070 Route 52 Bldg. 321/zip 482 Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Données relatives à la priorité :
13/684,842 26.11.2012 US
Titre (EN) DUMMY FIN FORMATION BY GAS CLUSTER ION BEAM
(FR) FORMATION D'AILETTE FACTICE PAR FAISCEAU IONIQUE À AMAS GAZEUX
Abrégé : front page image
(EN)FinFET structures and fabrication methods having dielectric fins. A gas cluster ion beam applies an ion beam to exposed fins, which converts the fins from a semiconductor material to a dielectric such as silicon nitride or silicon oxide. Unlike the prior art, where fins are removed prior to fin merging, in embodiments of the invention, fins are not removed. Instead, semiconductor fins are converted to dielectric (nitride/oxide) fins where it is desirable to have isolation between groups of fins that comprise various finFET devices on an integrated circuit. The semiconductor structure (100) includes a semiconductor substrate (102); an insulator layer (104) on the substrate (102); a plurality of fins (106) disposed on the insulator layer (104); wherein a first subset of the plurality of fins (506A) are comprised of a semiconductor material (516) and wherein a second subset of the plurality of fins are comprised of a dielectric material (514).
(FR)L'invention concerne des structures finFET ayant des ailettes diélectriques et des procédés de fabrication s'y rapportant. Un faisceau ionique à amas gazeux applique un faisceau ionique sur des ailettes exposées, qui convertissent les ailettes d'un matériau semi-conducteur en un diélectrique tel que du nitrure de silicium ou de l'oxyde de silicium. Contrairement à l'état de la technique, où des ailettes sont retirées avant un regroupement d'ailettes, selon des modes de réalisation de l'invention, les ailettes ne sont pas retirées. À la place, des ailettes de semi-conducteur sont converties en ailettes diélectriques (nitrure/oxyde) lorsqu'il est souhaitable d'obtenir une isolation entre des groupes d'ailettes qui comprennent divers dispositifs finFET sur un circuit intégré. La structure de semi-conducteur (100) comprend un substrat de semi-conducteur (102) ; une couche isolante (104) sur le substrat (102) ; une pluralité d'ailettes (106) disposées sur la couche isolante (104) ; un premier sous-ensemble de la pluralité d'ailettes (506A) étant composé d'un matériau semi-conducteur (516) et un second sous-ensemble de la pluralité d'ailettes étant composé d'un matériau diélectrique (514).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)