WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014081484) EMPILAGE VERTICAL DE GRAPHÈNE DANS UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/081484    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/054463
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 12.08.2013
CIB :
H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : FARMER, Damon, B.; (US).
FRANKLIN, Aaron, D.; (US).
OIDA, Sataoshi; (US).
SMITH, Joshua, T.; (US)
Mandataire : SULLIVAN, Sean, F.; Cantor Colburn LLP 20 Church St., 22nd Floor Hartford, CT 06103-3207 (US)
Données relatives à la priorité :
13/683,148 21.11.2012 US
Titre (EN) VERTICAL STACKING OF GRAPHENE IN A FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) EMPILAGE VERTICAL DE GRAPHÈNE DANS UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Abrégé : front page image
(EN)A graphene field-effect transistor is disclosed. The graphene field-effect transistor includes a first graphene sheet, a first gate layer coupled to the first graphene sheet and a second graphene sheet coupled to the first gate layer opposite the first gate layer. The first gate layer is configured to influence an electric field within the first graphene sheet as well as to influence an electric field of the second graphene sheet.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ au graphène, lequel transistor à effet de champ au graphène comprend une première feuille de graphène, une première couche de grille couplée à la première feuille de graphène, et une seconde feuille de graphène couplée à la première couche de grille en face de la première couche de grille. La première couche de grille est conçue pour influencer un champ électrique dans la première feuille de graphène et pour influencer un champ électrique dans la seconde feuille de graphène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)