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1. (WO2014081248) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT DU PAPIER COMME SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/081248    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/010702
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 22.11.2013
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF SEOUL INDUSTRY COOPERATION FOUNDATION [KR/KR]; University of Seoul, 90 Jeonnong-dong, Dongdaemum-gu Seoul 130-744 (KR)
Inventeurs : PARK, Byung Eun; (KR)
Mandataire : HONG, Sung Hoon; Garden 5 Life 516 F-B1109, Munjeong-dong, Songpa-gu Seoul 138-960 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0133224 22.11.2012 KR
10-2012-0133257 22.11.2012 KR
10-2013-0142563 22.11.2013 KR
10-2013-0142564 22.11.2013 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE USING PAPER AS A SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT DU PAPIER COMME SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a semiconductor device manufactured using a paper as a substrate and a method of manufacturing the same. According to an embodiment of the present invention, the semiconductor device is manufactured by using a paper including pulp as a raw material or paper as a substrate coated with a heat-resistant material such as silicon. According to the present invention, a metal wiring layer such as a gate electrode is formed on the paper substrate by using a vacuum deposition method, or the like and an insulating layer is stacked thereon.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur fabriqué au moyen de papier servant de substrat, ainsi qu'un procédé de fabrication associé. Dans un mode de réalisation de l'invention, le dispositif semi-conducteur est fabriqué au moyen d'un papier contenant de la pâte à papier comme matière première ou du papier comme substrat revêtu par un matériau thermorésistant tel que du silicium. Selon l'invention, une couche de câblage métallique, telle qu'une électrode grille, est formée sur le substrat de papier par un procédé de dépôt sous vide ou analogue, et une couche isolante est empilée sur la couche de câblage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)