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1. (WO2014081190) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/081190    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/010565
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 20.11.2013
CIB :
H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/52 (2010.01)
Déposants : SEMICON LIGHT CO.,LTD. [KR/KR]; 3F 49, Wongomae-ro 2beon-gil, Giheung-gu Yongin-si Gyeonggi-do 446-901 (KR)
Inventeurs : PAKR, Eun Hyun; (KR)
Mandataire : AN, Sang Jeong; First&Forever, 7F, Tower A, Advanced Institutes of Convergence Techology 145, Gwanggyo-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 443-270 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0131369 20.11.2012 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR ENCAPSULATING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION
(KO) 반도체 발광소자 및 이를 봉지하는 방법
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor light-emitting device and a method for encapsulating the same, the semiconductor light-emitting device comprising: a metal substrate which includes an oxide layer, and first and second conductive parts electrically separated from each other by the oxide layer, and has a first surface and a second surface facing the first surface, wherein the oxide layer is extended from the first surface to the second surface; a semiconductor light-emitting device chip having a first electrode bonded with the first conductive part on the first surface, and a second electrode bonded with the second conductive part on the first surface; and an encapsulant which covers the semiconductor light-emitting device chip and is formed on all of the first surface.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent semi-conducteur et son procédé d'encapsulation. Le dispositif électroluminescent semi-conducteur comprend : un substrat métallique qui comprend une couche d'oxyde, et des première et seconde parties conductrices électriquement séparées l'une de l'autre par la couche d'oxyde, et qui possède une première surface et une seconde surface tournée vers la première surface, la couche d'oxyde étant étendue depuis la première surface vers la seconde surface ; une puce de dispositif électroluminescent semi-conducteur possédant une première électrode liée à la première partie conductrice sur la première surface, et une seconde électrode liée à la seconde partie conductrice sur la première surface ; et un agent d'encapsulation qui couvre la puce de dispositif électroluminescent semi-conducteur et est formé sur la totalité de la première surface.
(KO)본 개시는 산화막, 산화막에 의해 전기적으로 분리된 제1 도전부, 및 제2 도전부를 구비하며, 제1 면과 제1 면에 대향하는 제2 면을 가지고, 산화막이 제1 면으로부터 제2 면으로 이어진 금속 기판; 제1 면에서 제1 도전부와 접합되는 제1 전극, 및 제1 면에서 제2 도전부와 접합되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 반도체 발광소자 칩을 덮으며, 제1 면 전체에 형성된 봉지제;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 및 이를 봉지하는 방법에 관한 것이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)