WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014080996) FILM MINCE DE SEMICONDUCTEUR À OXYDE, PROCÉDÉ POUR LE PRODUIRE ET TRANSISTOR À FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/080996    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/081445
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 21.11.2013
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/58 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. [JP/JP]; 5-11-3, Shimbashi, Minato-ku, Tokyo 1058716 (JP)
Inventeurs : NAKAYAMA Tokuyuki; (JP)
Mandataire : KIWA INTERNATIONAL; Atago Mark Bldg., 9th Fl., 3-25-47, Nishi-shimbashi, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-256866 22.11.2012 JP
Titre (EN) OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR
(FR) FILM MINCE DE SEMICONDUCTEUR À OXYDE, PROCÉDÉ POUR LE PRODUIRE ET TRANSISTOR À FILM MINCE
(JA) 酸化物半導体薄膜とその製造方法および薄膜トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide an oxide semiconductor thin film, which has relatively high carrier mobility and is suitable as a material for a channel layer of TFT, by means of an oxide crystalline thin film. [Solution] This oxide semiconductor thin film is obtained by subjecting an amorphous film, which is formed of an oxide containing indium and titanium and contains titanium at a Ti/In atomic ratio of 0.005-0.12, to an annealing treatment at a heating temperature of 250°C for a treatment time of 1-120 minutes. This oxide semiconductor thin film is characterized by: being crystalline; being configured only of an In2O3 phase having a bixbite structure; having a carrier concentration of 1 × 1019 cm-3 or less; and having a carrier mobility of 1 cm2/Vsec or more.
(FR)[Problème] L'invention a pour objet de réaliser un film mince de semiconducteur à oxyde , qui présente une mobilité des porteurs relativement élevée et qui convient en tant que matériau pour une couche de canal de TFT, au moyen d'un film mince d'oxyde cristallin. [Solution] Le présent film mince de semiconducteur à oxyde est obtenu en soumettant un film amorphe, formé d'un oxyde contenant de l'indium et du titane dans un rapport atomique Ti/In de 0,005 à 0,12, à un traitement de recuit à une température de chauffe de 250°C pendant une durée de traitement de 1 à 120 minutes. Le présent film mince de semiconducteur à oxyde est caractérisé: en ce qu'il est cristallin, en ce qu'il ne se présente que dans une phase In2O3 présentant une structure de bixbite; en ce qu'il présente une concentration de porteurs inférieure ou égale à 1×1019 cm-3; et en ce qu'il présente une mobilité des porteurs d'au moins 1 cm2/Vsec.
(JA)【課題】比較的高いキャリア移動度を有し、TFTのチャネル層材料として好適な酸化物半導体薄膜を、酸化物結晶質薄膜により提供する。 【解決手段】インジウムとチタンを含有する酸化物からなり、チタン含有量が、Ti/In原子数比で0.005~0.12である非晶質膜を、250℃以上の加熱温度、および、1分~120分の処理時間でアニール処理を施すことにより得られる。この酸化物半導体薄膜は、結晶質で、ビックスバイト型構造のIn23相によってのみ構成されており、かつ、キャリア濃度が1×1019cm-3以下で、キャリア移動度が1cm2/Vsec以上であることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)