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1. (WO2014080936) PROCÉDÉ POUR LE TRAITEMENT DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/080936    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/081268
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 20.11.2013
CIB :
H01L 31/04 (2014.01), C23C 16/56 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : HARADA Tamotsu; (JP).
LIN Jun; (JP).
HORIGUCHI Takahiro; (JP).
MORI Hiroyuki; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-254344 20.11.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR PROCESSING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) PROCÉDÉ POUR LE TRAITEMENT DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) 透明導電膜の処理方法
Abrégé : front page image
(EN)In this method for processing a transparent conductive film (3), the transparent conductive film is formed using an organic metal gas-phase growth method, a hydrogen radical being generated inside the processing container and the transparent conductive film (3) being exposed to the hydrogen radical.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour le traitement de film conducteur transparent (3), selon lequel le film conducteur transparent est formé au moyen d'une méthode de croissance en phase gazeuse de métal organique, un radical hydrogène étant généré à l'intérieur du récipient de traitement et le film conducteur transparent (3) étant exposé au radical hydrogène.
(JA) 一実施形態の透明導電膜3の処理方法では、該透明導電膜は有機金属気相成長法により成膜されており、処理容器内において水素ラジカルを発生させ、透明導電膜3を水素ラジカルに晒す。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)