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1. (WO2014080841) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM SILICEUX, ET FILM SILICEUX FORMÉ SELON CE PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/080841    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/080886
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 15.11.2013
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), C01B 33/12 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. a. r. I. [LU/LU]; 32-36, Boulevard d'Avranches 1160 Luxembourg (LU)
Inventeurs : HAYASHI, Masanobu; (JP).
NAGAHARA, Tatsuro; (JP)
Mandataire : KANAO Hiroki; KANAE INTERNATIONAL PATENT OFFICE, Matsuo Bldg. 2nd Floor, 25-3, Hongo 1-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-256062 22.11.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING OF SILICEOUS FILM AND SILICEOUS FILM FORMED USING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM SILICEUX, ET FILM SILICEUX FORMÉ SELON CE PROCÉDÉ
(JA) シリカ質膜の形成方法及び同方法で形成されたシリカ質膜
Abrégé : front page image
(EN)A siliceous film having high purity and a low etching rate is formed by: (a) a step for forming a siliceous film on a substrate by coating a solution composed of a polysilazane, e.g., perhydropolysilazane on a substrate and then hardening (curing) the solution in an oxidizing atmosphere, or by coating a silica solution formed by a sol-gel method on a substrate; and (b) a step for heating the siliceous film in an inert gas environment containing a nitrogen-containing compound such as alkyalmine having a base disassociation constant (pKb) no greater than 4.5, or a halogen-containing compound in which the bond energy of a halogen atom such as F2, Br2, or NF3 is no greater than 60 kcal/mol, in order to anneal the film.
(FR)Selon l'invention, un film siliceux très pure et de vitesse de gravure lente, est formé selon : (a) une étape au cours de laquelle un polysilazane telle qu'une solution de perhydropolysilazane, est durci sous une atmosphère d'oxyde après application sur un substrat, ou au cours de laquelle une solution de silice formée par un procédé sol-gel est appliquée sur le substrat, et le film siliceux est ainsi formé sur le substrat; et (b) une étape au cours de laquelle le film siliceux est recuit par chauffage sous une atmosphère de gaz inerte contenant un composé comprenant un azote de constante de dissociation basique (pKb) inférieure ou égale à 4,5 tel qu'un alkylamine, ou un composé à teneur en halogène d'énergie de liaison d'un atome d'halogène inférieure ou égale à 60kcal/mol tel qu'un F2, Br2 et un NF3.
(JA) (a)ポリシラザン、例えばペルヒドロポリシラザンの溶液を基板に塗布した後酸化雰囲気で硬化(キュア)することにより、またはゾルゲル法によって形成されたシリカ溶液を基板に塗布することにより、基板上にシリカ質膜を形成する工程、および(b)該シリカ質膜を、アルキルアミンのような塩基解離定数(pKb)が4.5以下の窒素含有化合物またはF、Br、NFのようなハロゲン原子の結合エネルギーが60kcal/mol以下のハロゲン含有化合物を含む不活性ガス雰囲気で加熱してアニールする工程により、高純度でエッチングレートの遅いシリカ質膜を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)