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1. (WO2014080727) PROCÉDÉ DE RECUIT PAR LASER ET DISPOSITIF DE RECUIT PAR LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/080727    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/079231
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 29.10.2013
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01)
Déposants : THE JAPAN STEEL WORKS,LTD. [JP/JP]; 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
SHIDA Junichi [JP/JP]; (JP) (US only).
MACHIDA Masashi [JP/JP]; (JP) (US only).
CHUNG Suk-Hwan [KR/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : SHIDA Junichi; (JP).
MACHIDA Masashi; (JP).
CHUNG Suk-Hwan; (JP)
Mandataire : YOKOI Koki; 4th Floor, MG Tamachi Building, 3-7, Shiba 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1080014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-254282 20.11.2012 JP
Titre (EN) LASER ANNEALING METHOD AND LASER ANNEALING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE RECUIT PAR LASER ET DISPOSITIF DE RECUIT PAR LASER
(JA) レーザアニール方法およびレーザアニール装置
Abrégé : front page image
(EN)A laser annealing method that scans and irradiates a pulse laser having a line beam as the beam-cross-sectional shape therefor, upon a non-monocrystalline semiconductor film and in the short-axis direction of the line beam, in order to reduce irradiation unevenness caused by fluctuation in laser energy output. In the laser annealing method, irradiation is performed such that: the line beam has a steepness section positioned in the end section in the short-axis direction, in the beam intensity profile; the steepness section is an area having a maximum intensity in the beam intensity profile of 10%-90%; and the short-axis direction width on the rear side in the scanning direction in the steepness section is no more than 50 µm on the irradiation surface of the non-monocrystalline semiconductor film. As a result the impact of fluctuation in fusion width when the steepness section suddenly becomes steep and the energy output fluctuates can be alleviated and irradiation unevenness reduced.
(FR)Cette invention concerne un procédé de recuit par laser qui balaye et irradie un laser à impulsions présentant un faisceau linéaire en tant que forme de faisceau vu en coupe transversale, sur un film semi-conducteur non monocristallin dans le sens de l'axe court du faisceau linéaire, de sorte à réduire les irrégularités de l'irradiation provoquées par fluctuation de la sortie laser. Dans ledit procédé de recuit par laser, l'irradiation est effectuée de telle façon que : le faisceau linéaire présente une section de forte pente dans la section d'extrémité dans le sens de l'axe court dans le profil d'intensité du faisceau; la section de forte pente est une zone dont l'intensité maximale dans le profil d'intensité du faisceau va de 10 à 90 %; et la largeur dans le sens de l'axe court sur le côté arrière dans le sens du balayage dans la section de forte pente est inférieure ou égale à 50 µm sur la surface d'irradiation du film conducteur non monocristallin. Il est ainsi possible d'atténuer l'impact des fluctuations au niveau de la largeur de fusion et de réduire les irrégularités d'irradiation quand la section de forte pente présente un raidissement abrupt et la sortie d'énergie varie.
(JA)レーザのエネルギー出力の変動による照射ムラを低減するため、非単結晶半導体膜上に、ビーム断面形状をラインビームとしたパルスレーザをラインビームの短軸方向に走査しつつ照射するレーザアニール方法において、ラインビームが、ビーム強度プロファイルにおいて、短軸方向端部に位置するスティープネス部とを有し、スティープネス部がビーム強度プロファイルにおける最大強度の10%以上90%以下の強度を有する領域であり、スティープネス部のうち走査方向後方側の短軸方向幅が非単結晶半導体膜の照射面上で50μm以下になるようにして前記照射を行うことで、スティープネス部が急峻化され、エネルギー出力が変動した際の溶融幅の変動による影響を軽減して照射ムラを小さくすることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)