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1. (WO2014080603) MATÉRIAU ACTIF D'ÉLECTRODE NÉGATIVE ET DISPOSITIF DE STOCKAGE D'ÉLECTRICITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/080603    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/006723
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 15.11.2013
CIB :
H01M 4/58 (2010.01), H01M 4/13 (2010.01), H01M 4/36 (2006.01), H01M 4/38 (2006.01), H01M 4/62 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI [JP/JP]; 2-1, Toyoda-cho, Kariya-shi, Aichi 4488671 (JP)
Inventeurs : NAKANISHI, Masataka; (JP).
SUGIYAMA, Yusuke; (JP).
MORI, Takashi; (JP).
HIRATE, Hiroshi; (JP).
MURASE, Masakazu; (JP)
Mandataire : KYORITSU INTERNATIONAL; 2-5, Meieki 3-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-255177 21.11.2012 JP
Titre (EN) NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND ELECTRICITY STORAGE DEVICE
(FR) MATÉRIAU ACTIF D'ÉLECTRODE NÉGATIVE ET DISPOSITIF DE STOCKAGE D'ÉLECTRICITÉ
(JA) 負極活物質及び蓄電装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a negative electrode active material which contains 0.01-50% by mass of copper and comprises, as the basic skeleton, a layered polysilane that is represented by a composition formula (SiH)n and has a structure wherein a plurality of six-membered rings configured from silicon atoms are successively contained. Electron conductivity is improved by containing copper. Consequently, an electricity storage device which uses this negative electrode active material in the negative electrode has improved rate characteristics and increased charge/discharge capacity.
(FR)La présente invention concerne un matériau actif d'électrode négative qui contient 0,01 à 50 % en masse de cuivre et qui comprend, en tant que squelette fondamental, un polysilane stratifié qui est représenté par une formule de composition (SiH)n et possède une structure dans laquelle une pluralité de cycles à six chaînons conçus à partir d'atomes de silicium sont successivement contenus. La conductivité électronique est améliorée du fait que du cuivre est contenu. En conséquence, un dispositif de stockage d'électricité qui utilise ce matériau actif d'électrode négative dans l'électrode négative possède des caractéristiques de débit améliorées et une capacité accrue de charge/décharge.
(JA) ケイ素原子で構成された六員環が複数連なった構造をなし組成式(SiH)で示される層状ポリシランを基本骨格とし、銅が0.01~50質量%含まれた負極活物質を提供する。銅を含むことによって電子伝導性が向上する。そのためその負極活物質を負極に用いた蓄電装置は、レート特性が向上し、充放電容量も増大する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)