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1. (WO2014080367) FORMATION DE MOTIFS PAR LITHOGRAPHIE SUR MATÉRIAU À L'ÉTAT SOLIDE SEMI-CONDUCTEUR OU ISOLANT SOUS FORME CRISTALLINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/080367    N° de la demande internationale :    PCT/IB2013/060328
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 22.11.2013
CIB :
G03F 7/00 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01)
Déposants : ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL) [CH/CH]; EPFL-TTO EPFL Innovation Park J CH-1015 Lausanne (CH)
Inventeurs : MOSER, Simon Karl; (CH).
MORESCHINI, Luca; (US).
ROTENBERG, Eli; (US)
Mandataire : ROLAND, André; c/o ANDRE ROLAND S.A. P.O. Box 5107 CH-1002 Lausanne (CH)
Données relatives à la priorité :
61/729,366 22.11.2012 US
Titre (EN) LITHOGRAPHIC PATTERNING OF INSULATING OR SEMICONDUCTING SOLID STATE MATERIAL IN CRYSTALLINE FORM
(FR) FORMATION DE MOTIFS PAR LITHOGRAPHIE SUR MATÉRIAU À L'ÉTAT SOLIDE SEMI-CONDUCTEUR OU ISOLANT SOUS FORME CRISTALLINE
Abrégé : front page image
(EN)A method for lithographic patterning of an insulating or semiconducting solid state material in crystalline form, said method comprising a step where said material is exposed to an amount of radiation which is sufficient to change its insulating or semiconducting state into a conducting state.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de motifs lithographique sur un matériau à l'état solide semi-conducteur ou isolant sous forme cristalline, ledit procédé comprenant une étape dans laquelle ledit matériau est exposé à une quantité de rayonnement qui est suffisante pour changer son état isolant ou semi-conducteur en un état conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)