WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014079657) PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE ZONE DE CONNEXION D'UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/079657    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/072507
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 28.10.2013
CIB :
H01L 33/40 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : PFEUFFER, Alexander; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; (Zusammenschluss 175) Schlossschmidstr. 5 80639 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
102012111245.2 21.11.2012 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ANSCHLUSSBEREICHS EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
(EN) METHOD FOR PRODUCING A CONNECTION REGION OF AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE ZONE DE CONNEXION D'UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussbereichs (70) eines optoelektronischen Halbleiterchips (100) mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (100), Ausbilden oder Freilegen einer Saatschicht (6) an einer Außenfläche (100a) des optoelektronischen Halbleiterchips (100), und stromloses Abscheiden einer Kontaktschichtenfolge (7) auf der Saatschicht (6), wobei die Saatschicht (6) mit einem Metall gebildet ist, welches das stromlose Abscheiden von Nickel auf der Saatschicht (6) ermöglicht, die Kontaktschichtenfolge (7) als erste, der Saatschicht (6) zugewandte Schicht eine Nickelschicht (71) umfasst, und die Kontaktschichtenfolge (7) an ihrer der Saatschicht (6) abgewandten Seite eine Kontaktfläche (7a) aufweist, über die der optoelektronische Halbleiterchip (100) elektrisch kontaktierbar ist.
(EN)The invention relates to a method for producing a connection region (70) of an optoelectronic semiconductor chip (100), comprising the following steps: providing an optoelectronic semiconductor chip (100), forming or exposing a seed layer (6) on an outer surface (100a) of the optoelectronic semiconductor chip (100), and depositing a contact layer sequence (7) on the seed layer (6) without current, wherein the seed layer (6) is formed comprising a metal that enables nickel to be deposited on the seed layer (6) without current, the contact layer sequence (7) comprises a nickel layer (71) as a first layer facing the seed layer (6), and the contact layer sequence (7) has a contact surface (7a) on the side of the contact layer sequence facing away from the seed layer (6), by means of which contact surface the optoelectronic semiconductor chip (100) can be electrically contacted.
(FR)L'invention concerne un procédé de réalisation d'une zone de connexion (70) d'une puce de semi-conducteur optoélectronique (100), comprenant les étapes suivantes : préparation d'une puce de semi-conducteur optoélectronique (100), formation ou dégagement d'une couche de germination (6) sur une surface extérieure (100a) de la puce de semi-conducteur optoélectronique (100), et dépôt autocatalytique d'une succession de couches de contact (7) sur la couche de germination (6). La couche de germination (6) est constituée d'un métal qui permet le dépôt autocatalytique de nickel sur la couche de germination (6). La succession de couches de contact (7) comprend une couche de nickel (71) en tant que première couche faisant face à la couche de germination (6) et, sur sa face située à l'opposé de la couche de germination (6), la succession de couches de contact (7) comporte une surface de contact (7a) par le biais de laquelle des connexions électriques peuvent être réalisées avec la puce de semi-conducteur optoélectronique (100).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)