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1. (WO2014079234) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/079234    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/081273
Date de publication : 30.05.2014 Date de dépôt international : 12.08.2013
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Inventeurs : YIN, Huaxiang; (CN).
ZHU, Huilong; (US).
MA, Xiaolong; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 11/F., Bldg. D, International Finance and Economics Center No.87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210483608.5 25.11.2012 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 半导体器件及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device, including: a plurality of fins (1F) extending along a first direction on a substrate (1), a gate electrode extending along a second direction and crossing over each fin (1F), a source/drain region (1S/1D) located on the fins at both sides of the gate electrode and a gate spacer (5), wherein the tops and/or side walls of the fins have a surface layer (7) thereon. The semiconductor device and the manufacturing method therefor form a high-mobility material layer on the tops and side walls of the fins by means of selective epitaxial growth, effectively improving the carrier mobility of the channel region, and effectively improving the performance and reliability of the device.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur, comprenant : une pluralité d'ailettes (1F) s'étendant le long d'une première direction sur un substrat (1), une électrode de grille s'étendant le long d'une seconde direction et croisant chaque ailette (1F), une zone source/déversoir (1S/1D) située sur les ailettes sur les deux côtés de l'électrode de grille et d'un élément d'espacement de grille (5), une couche superficielle (7) étant disposée sur les parties supérieures et/ou les parois latérales des ailettes. Le dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication forment une couche de matériau à mobilité élevée sur les parties supérieures et les parois latérales des ailettes au moyen d'une croissance épitaxiale sélective, ce qui améliore efficacement la mobilité de transport de la zone de canal, et améliore efficacement la performance et la fiabilité du dispositif.
(ZH)一种半导体器件,包括:衬底(1)上沿第一方向延伸的多个鳍片(1F),沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片(1F)的栅极,位于栅极两侧的鳍片上的源漏区(1S/1D)以及栅极侧墙(5),其中,鳍片(1F)的顶部和/或侧壁上具有表面层(7)。半导体器件及其制造方法,在鳍片顶部以及侧壁选择性外延生长形成了高迁移率材料层,有效提高了沟道区载流子迁移率,有效提高了器件的性能和可靠性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)