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1. (WO2014078807) ELECTRODES À BASE DE GRAPHÈNE ET APPLICATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/078807    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/070615
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 18.11.2013
CIB :
C23C 16/26 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C01B 31/02 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, Twelfth Floor Oakland, CA 94607-5200 (US)
Inventeurs : OZKAN, Cengiz, S.; (US).
OZKAN, Mihrimah; (US).
GUVENC, Ali, B.; (US).
PAUL, Rajat, K.; (US).
LIN, Jian; (US).
GHAZINEJAD, Maziar; (US).
PENCHEV, Miro; (US).
GUO, Shirui; (US).
ZHONG, Jiebin; (US)
Mandataire : ALTMAN, Daniel, E.; KNOBBE, MARTENS, OLSEN & BEAR, LLP 2040 Main Street, 14th Floor Irvine, CA 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
61/728,147 19.11.2012 US
Titre (EN) GRAPHENE BASED ELECTRODES AND APPLICATIONS
(FR) ELECTRODES À BASE DE GRAPHÈNE ET APPLICATIONS
Abrégé : front page image
(EN)Methods of fabricating a graphene film are disclosed. An example method can include providing a substrate, heating the substrate between about 600°C and about 1100°C in a chamber, and introducing a carbon source into the chamber at a temperature between about 600°C and about 1100°C for about 10 seconds to about 1 minute. The method can further include cooling the substrate to about room temperature to form the graphene film. Methods of fabricating pillared graphene nano structures and graphene based devices are also provided.
(FR)L'invention concerne des procédés de fabrication d'un film de graphène. Un procédé à titre d'exemple peut comprendre la fourniture d'un substrat, le chauffage du substrat entre environ 600° C et environ 1100° C dans une chambre, et l'introduction d'une source de carbone dans la chambre à une température d'entre environ 600° C et environ 1100° C pour environ 10 secondes à environ 1 minute. Le procédé peut comprendre en outre le refroidissement du substrat jusqu'à environ la température ambiante pour former le film de graphène. Des procédés de fabrication de nanostructures en graphène à piliers et de dispositifs à base de graphène sont également décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)