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1. (WO2014078238) TRANSISTOR JFET AU GAN LATÉRAL À RÉGION DE DÉRIVE VERTICALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/078238    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/069469
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 11.11.2013
CIB :
H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : AVOGY, INC. [US/US]; 677 River Oaks Parkway San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : PRUNTY, Thomas, R.; (US).
NIE, Hui; (US).
EDWARDS, Andrew; (US).
KIZILYALLI, Isik; (US).
BOUR, Dave; (US)
Mandataire : MCMILLAN, Scott L.; Kilpatrick Townsend & Stockton LLP Eighth Floor Two Embarcadero Center San Francisco, CA 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
13/675,826 13.11.2012 US
Titre (EN) LATERAL GAN JFET WITH VERTICAL DRIFT REGION
(FR) TRANSISTOR JFET AU GAN LATÉRAL À RÉGION DE DÉRIVE VERTICALE
Abrégé : front page image
(EN)A gallium nitride (GaN)-based junction field-effect transistor (JFET) can include a GaN drain region having a top surface extending in a lateral dimension, a source region, and a GaN channel region of a first conductivity type coupled between the source region and the GaN drain region and operable to conduct electrical current between the source region and the GaN drain region. The JFET can also include a blocking layer disposed between the source region and the GaN drain region such that the GaN channel region is operable to conduct the electrical current substantially along the lateral dimension in a laterally-conductive region of the GaN channel region, and a GaN gate region of a second conductivity type coupled to the GaN channel region such that the laterally-conductive region of the GaN channel region is disposed between at least a portion of the blocking layer and the GaN gate region.
(FR)L'invention porte sur un transistor à effet de champ à jonctions (JFET) au nitrure de gallium (GaN) qui peut comprendre une région de drain au GaN ayant une surface supérieure s'étendant dans une dimension latérale, une région de source, et une région de canal au GaN d'un premier type de conductivité couplée entre la région de source et la région de drain au GaN et utilisable pour conduire un courant électrique entre la région de source et la région de drain au GaN. Le transistor JFET peut également comprendre une couche de blocage disposée entre la région de source et la région de drain au GaN de manière que la région de canal au GaN soit utilisable pour conduire le courant électrique sensiblement le long de la dimension latérale dans une région latéralement conductrice de la région de canal au GaN, et une région de grille au GaN d'un second type de conductivité couplée à la région de canal au GaN de manière que la région latéralement conductrice de la région de canal au GaN soit disposée entre au moins une partie de la couche de blocage et la région de grille au GaN.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)