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1. (WO2014078130) BOÎTIER DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT UNE PREMIÈRE FIXATION DE LA PUCE À LA TRANCHE INTERCALAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/078130    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/068510
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 05.11.2013
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : AMKOR TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 1900 South Price Road Chandler, Arizona 85286 (US)
Inventeurs : KELLY, Michael G.; (US).
HUEMOELLER, Ronald Patrick; (US).
DO, Won Chul; (KR).
HINER, David Jon; (US)
Mandataire : MICHEL, Erick J.; McAndrews, Held and Malloy, Ltd. 500 W. Madison, 34th Floor Chicago, Illinois 60661 (US)
Données relatives à la priorité :
13/678,046 15.11.2012 US
13/678,058 15.11.2012 US
13/678,012 15.11.2012 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE WITH A DIE TO INTERPOSER WAFER FIRST BOND
(FR) BOÎTIER DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT UNE PREMIÈRE FIXATION DE LA PUCE À LA TRANCHE INTERCALAIRE
Abrégé : front page image
(EN)Methods and systems for a semiconductor device package with a die to interposer wafer first bond are disclosed and may include bonding a plurality of semiconductor die comprising electronic devices to an interposer wafer, and applying an underfill material between the die and the interposer wafer. A mold material may be applied to encapsulate the die. The interposer wafer may be thinned to expose through-silicon-vias (TSVs) and metal contacts may be applied to the exposed TSVs. The interposer wafer may be singulated to generate assemblies comprising the semiconductor die and an interposer die. The die may be placed on the interposer wafer utilizing an adhesive film. The interposer wafer may be singulated utilizing one or more of: a laser cutting process, reactive ion etching, a sawing technique, and a plasma etching process. The die may be bonded to the interposer wafer utilizing a mass reflow or a thermal compression process.
(FR)La présente invention concerne des procédés et des systèmes pour un boîtier de dispositif à semi-conducteurs comportant une première fixation de la puce à la tranche intercalaire. Lesdits procédés et systèmes peuvent consister à fixer une pluralité de puces semi-conductrices comprenant des dispositifs électroniques sur une tranche intercalaire, et à appliquer un matériau de remplissage entre la puce et la tranche intercalaire. Un matériau de moulage peut être appliqué pour encapsuler la puce. La tranche intercalaire peut être amincie pour exposer les trous d'interconnexion à travers le silicium (TSV) et des contacts métalliques peuvent être appliqués sur les TSV exposés. La tranche intercalaire peut être séparée pour produire des assemblages comprenant la puce semi-conductrice et une puce intercalaire. La puce peut être placée sur la tranche intercalaire au moyen d'un film adhésif. La tranche intercalaire peut être séparée au moyen d'un ou plusieurs des procédés suivants : un procédé de découpe au laser, une gravure ionique réactive, une technique de sciage, et un procédé de gravure au plasma. La puce peut être fixée sur la tranche intercalaire au moyen d'un procédé de refusion de masse ou de compression thermique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)