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1. (WO2014077903) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP PAR EFFET TUNNEL (TFET) POUR DES ARCHITECTURES CMOS ET APPROCHES POUR FABRIQUER DES TFET DE TYPE N ET DE TYPE P
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/077903    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/045504
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 12.06.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard M/S: RNB-4-150 Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : KOTLYAR, Roza; (US).
CEA, Stephen M.; (US).
DEWEY, Gilbert; (US).
CHU-KUNG, Benjamin; (US).
AVCI, Uygar E.; (US).
RIOS, Rafael; (US).
CHAUDHRY, Anurag; (US).
LINTON, JR., Thomas D.; (US).
YOUNG, Ian A.; (US).
KUHN, Kelin J.; (US)
Mandataire : MALLIE, Michael J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085-4040 (US)
Données relatives à la priorité :
13/678,867 16.11.2012 US
Titre (EN) TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTORS (TFETS) FOR CMOS ARCHITECTURES AND APPROACHES TO FABRICATING N-TYPE AND P-TYPE TFETS
(FR) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP PAR EFFET TUNNEL (TFET) POUR DES ARCHITECTURES CMOS ET APPROCHES POUR FABRIQUER DES TFET DE TYPE N ET DE TYPE P
Abrégé : front page image
(EN)Tunneling field effect transistors (TFETs) for CMOS architectures and approaches to fabricating N-type and P-type TFETs are described. For example, a tunneling field effect transistor (TFET) includes a homojunction active region disposed above a substrate. The homojunction active region includes a relaxed Ge or GeSn body having an undoped channel region therein. The homojunction active region also includes doped source and drain regions disposed in the relaxed Ge or GeSn body, on either side of the channel region. The TFET also includes a gate stack disposed on the channel region, between the source and drain regions. The gate stack includes a gate dielectric portion and gate electrode portion.
(FR)L'invention porte sur des transistors à effet de champ par effet tunnel (TFET) pour des architectures CMOS et sur des approches pour fabriquer des TFET de type N et de type P. Par exemple, un transistor à effet de champ par effet tunnel (TFET) comprend une région active à homojonction disposée au-dessus d'un substrat. La région active à homojonction comprend un corps de Ge ou GeSn relaxé ayant une région de canal non dopée dans celui-ci. La région active à homojonction comprend également des régions de source et de drain dopées disposées dans le corps de Ge ou GeSn relaxé, de chaque côté de la région de canal. Le TFET comprend également une pile de grille disposée sur la région de canal, entre les régions de source et de drain. La pile de grille comprend une partie de diélectrique de grille et une partie d'électrode de grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)