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1. (WO2014077370) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/077370    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/080939
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 15.11.2013
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), C11D 3/18 (2006.01), C11D 3/20 (2006.01), C11D 7/06 (2006.01), C11D 7/08 (2006.01), C11D 7/18 (2006.01), C11D 7/26 (2006.01), C11D 7/36 (2006.01), C11D 17/08 (2006.01)
Déposants : LION CORPORATION [JP/JP]; 3-7, Honjo 1-chome, Sumida-ku, Tokyo 1308644 (JP).
SAITO OPTICAL SCIENCE MANUFACTURING LTD. [JP/JP]; 2-3-11, Shinden, Fujimino-shi, Saitama 3560033 (JP)
Inventeurs : TAMURA Kei; (JP).
ARAI Masahiro; (JP).
FUJITA Yuta; (JP).
TSUCHIDA Masuhiro; (JP).
SAITO Nobuei; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-251819 16.11.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This method for cleaning a semiconductor substrate comprises: a first cleaning operation wherein a polished semiconductor substrate is cleaned using the cleaning agent (A) described below or the cleaning agent (B) described below; and a second cleaning operation wherein the semiconductor substrate is cleaned using the cleaning agent (C) described below after the first cleaning operation. Cleaning agent (A): a liquid cleaning agent that contains a hydrocarbon compound, a glycol ether and a surfactant Cleaning agent (B): a liquid cleaning agent that contains a hydroxide of an alkali metal, one or more substances that are selected from among hydroxycarboxylic acids and salts thereof, and one or more substances that are selected from among 1-hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid and salts thereof Cleaning agent (C): a liquid cleaning agent that contains sulfuric acid and hydrogen peroxide and has a sulfuric acid concentration of 50% by mass or more
(FR)Le procédé de nettoyage de substrat semi-conducteur de l'invention, comporte : une première opération de nettoyage au cours de laquelle un substrat semi-conducteur sur lequel un traitement de polissage a été effectué, est nettoyé à l'aide d'un agent de nettoyage (A) ou d'un agent de nettoyage (B) ; et une seconde opération de nettoyage au cours de laquelle après ladite première opération de nettoyage, ledit substrat semi-conducteur est nettoyé à l'aide d'un agent de nettoyage (C). Agent de nettoyage (A) : agent de nettoyage liquide comprenant un composé hydrocarbure, un éther glycolique et un tensio-actif. Agent de nettoyage (B) : agent de nettoyage liquide comprenant un hydroxyde de métal alcalin, au moins un élément choisi parmi un acide hydroxycarboxylique et un sel de celui-ci, et au moins un élément choisi parmi un acide 1-hydroxyéthane-1,1-diphosphonique et un sel de celui-ci. Agent de nettoyage (C) : agent de nettoyage liquide comprenant un acide sulfurique et un peroxyde d'hydrogène, et présentant une teneur en acide sulfurique supérieure ou égale à 50% en masse.
(JA) 本発明の半導体基板の洗浄方法は、下記洗浄剤(A)又は下記洗浄剤(B)を用いて、研磨処理が施された半導体基板を洗浄する第一の洗浄操作と、前記第一の洗浄操作の後、下記洗浄剤(C)を用いて、前記半導体基板を洗浄する第二の洗浄操作とを備える。洗浄剤(A):炭化水素化合物と、グリコールエーテルと、界面活性剤とを含有する液体洗浄剤。洗浄剤(B):アルカリ金属の水酸化物と、ヒドロキシカルボン酸及びその塩から選択される1種以上と、1-ヒドロキシエタン-1,1-ジホスホン酸及びその塩から選択される1種以上とを含有する液体洗浄剤。洗浄剤(C):硫酸と過酸化水素とを含有し、硫酸濃度が50質量%以上である液体洗浄剤。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)