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1. (WO2014077282) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS À FIXATION DE PUCE PAR SOUDAGE À BASE DE Au, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/077282    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/080695
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 13.11.2013
CIB :
H01L 21/52 (2006.01)
Déposants : NISSAN MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 2, Takara-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210023 (JP).
SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 6-3, Kitano 3-chome, Niiza-shi, Saitama 3528666 (JP) (AE, AG, AM, AO, AU, AZ, BB, BF, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, DM, DO, DZ, EC, EG, GA, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GT, GW, HN, ID, IL, IN, IR, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LY, MA, MD, ME, MG, ML, MN, MR, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, QA, RU, RW, SA, SC, SD, SG, SL, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP) (AE, AG, AM, AO, AU, AZ, BB, BF, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CI, CL, CM, CO, CR, CU, DM, DO, DZ, EC, EG, GA, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GT, GW, HN, ID, IL, IN, IR, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LY, MA, MD, ME, MG, ML, MN, MR, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, QA, RU, RW, SA, SC, SD, SG, SL, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only)
Inventeurs : TANIMOTO, Satoshi; (JP).
SATO, Shinji; (JP).
TANISAWA, Hidekazu; (JP).
MATSUI, Kohei; (JP)
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-250852 15.11.2012 JP
Titre (EN) Au BASED SOLDER DIE ATTACHMENT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS À FIXATION DE PUCE PAR SOUDAGE À BASE DE Au, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) Au系はんだダイアタッチメント半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device according to the present invention, having an Au based solder layer (3) sandwiched between a semiconductor element (1) and a Cu substrate (2) made mainly of Cu, wherein the semiconductor device comprises: a dense metal film (23) which is arranged between the Cu substrate (2) and the Au based solder layer (3), and has fine slits (24) patterned to have a prescribed shape in a plan view; and fine structures (4) with dumbbell-like cross section, which have Cu and Au as main elements, and are each buried in the fine slits of the Cu substrate (2), the Au based solder layer (3), and the dense metal film (23).
(FR)Dans le dispositif à semi-conducteurs de l'invention, une couche de soudure à base de Au (3) est enserrée entre un élément à semi-conducteurs (1) et un substrat Cu (2) ayant un Cu pour matière première principale. Entre le substrat Cu (2) et la couche de soudure à base de Au (3) est placé un film de métal compact (23) qui possède des fentes fines (24) aux contours modelés de manière à prendre une forme prédéfinie selon une vue en plan. Des structures à face transversale en petite haltère ayant un Cu et un Au pour élément principal, sont noyées dans le substrat Cu (2), dans la couche de soudure à base de Au (3) et dans chacune des fentes fines (24) du film de métal compact (23)
(JA) 本発明の半導体装置は、半導体素子1とCuを主原料としたCu基板2との間にAu系はんだ層3を挟持し、Cu基板2とAu系はんだ層3との間に、平面視した際に所定の形状となるようにパターニングされた微細スリット24を有する緻密金属膜23を配設し、Cu基板2、Au系はんだ層3及び緻密金属膜23の微細スリット24のそれぞれにCuとAuを主元素とする微小亜鈴断面構造体4を埋設する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)