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1. (WO2014077249) PROCÉDÉ DE GRAVURE DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/077249    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/080576
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 12.11.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.09.2014    
CIB :
H01L 21/308 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : MURO, Naotsugu; (JP).
KAMIMURA, Tetsuya; (JP).
INABA, Tadashi; (JP).
MIZUTANI, Atsushi; (JP)
Mandataire : IIDA, Toshizo; ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-250364 14.11.2012 JP
Titre (EN) ETCHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an etching method in which, on the occasion of treatment of a substrate having a first layer that comprises titanium nitride (TiN) and a second layer that comprises a transition metal, a substrate in which the surface oxygen content of the first layer is 0.1-10 mole% is selected, and the first layer is removed by applying an etching liquid that comprises a hydrofluoric acid compound and an oxidizer to the first layer of the substrate.
(FR)Cette invention concerne un procédé de gravure dans lequel, lors du traitement d'un substrat présentant une première couche qui comprend du nitrure de titane (TiN) et une seconde couche qui comprend un métal de transition, un substrat est sélectionné telle façon que la teneur superficielle en oxygène de la première couche va de 0,1 à 10 % en pourcentage molaire, et la première couche est éliminée par application d'un liquide de gravure qui comprend un composé d'acide fluorhydrique et un agent oxydant sur la première couche du substrat.
(JA)窒化チタン(TiN)を含む第1層と遷移金属を含む第2層とを有する基板を処理するに当たり、第1層における表面酸素含有率が0.1~10モル%の基板を選定し、基板の第1層にフッ酸化合物と酸化剤とを含むエッチング液を適用して第1層を除去するエッチング方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)