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1. (WO2014077212) SUBSTRAT COMPOSITE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/077212    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/080398
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 11.11.2013
CIB :
H03H 9/25 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-city, Aichi 4678530 (JP).
NGK CERAMIC DEVICE CO., LTD. [JP/JP]; 434-3 Aza Gotanda, Oaza Shimozue, Komaki-city, Aichi 4858557 (JP)
Inventeurs : HORI, Yuji; (JP).
TAI, Tomoyoshi; (JP).
IWASAKI, Yasunori; (JP).
YAMADERA, Takahiro; (JP).
HATTORI, Ryosuke; (JP).
SUZUKI, Kengo; (JP)
Mandataire : ITEC INTERNATIONAL PATENT FIRM; SC Fushimi Bldg., 16-26, Nishiki 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-250070 14.11.2012 JP
Titre (EN) COMPOSITE SUBSTRATE AND MANUFACTURING M ETHOD THEREOF
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 複合基板及びその製法
Abrégé : front page image
(EN)In this composite substrate, a piezoelectric substrate that is a single-crystal substrate of lithium tantalate or lithium niobate, and a support substrate that is a single-crystal substrate of silicon are joined together interposed by an Ar-containing amorphous layer. The amorphous layer includes a first layer, a second layer and a third layer from the piezoelectric substrate toward the composite substrate. The first layer contains more of the element (e.g., Ta) constituting the piezoelectric substrate than the second layer and the third layer, the second layer contains more of the element (Si) constituting the support substrate than the first layer and the second layer, and the second layer contains more Ar than the first layer and the third layer.
(FR)L'invention concerne un substrat composite dans lequel un substrat piézoélectrique qui est un substrat monocristallin de tantalate de lithium ou de niobate de lithium, et un substrat de support qui est un substrat monocristallin de silicium sont joints ensemble avec une couche amorphe contenant Ar interposée entre ceux-ci. La couche amorphe comprend une première couche, une deuxième couche et une troisième couche à partir du substrat piézoélectrique vers le substrat composite. La première couche contient plus de l'élément (par exemple, Ta) constituant le substrat piézoélectrique que la deuxième couche et la troisième couche, la deuxième couche contient plus de l'élément (Si) constituant le substrat de support que la première couche et la deuxième couche, et la deuxième couche contient plus d'Ar que la première couche et la troisième couche.
(JA) 本発明の複合基板は、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムの単結晶基板である圧電基板と、シリコンの単結晶基板である支持基板とが、Arを含有するアモルファス層を介して接合された複合基板である。アモルファス層は、圧電基板から複合基板に向かって第1層、第2層及び第3層を有している。このうち、第1層は、第2層及び第3層に比べて圧電基板を構成する元素(Taなど)を多く含有し、第3層は、第1層及び第2層に比べて支持基板を構成する元素(Si)を多く含有し、第2層は、第1層及び第3層に比べてArを多く含有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)