WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014077113) SUBSTANCE ACTIVE D'ÉLECTRODE NÉGATIVE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI, ET CELLULE SECONDAIRE AU LITHIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/077113    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/079106
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 28.10.2013
CIB :
H01M 4/48 (2010.01), H01M 4/13 (2010.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP)
Inventeurs : IRIYAMA, Jiro; (JP).
KAWASAKI, Daisuke; (JP).
FUJII, Emiko; (JP).
SERIZAWA, Shin; (JP).
TAKAHASHI, Hiroo; (JP)
Mandataire : ITO, Katsuhiro; 4F, San-ai Kayabacho Bldg., 2-13-11, Nihombashi-Kayabacho, Chuo-ku, Tokyo 1030025 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-249647 13.11.2012 JP
Titre (EN) NEGATIVE-ELECTRODE ACTIVE SUBSTANCE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND LITHIUM SECONDARY CELL
(FR) SUBSTANCE ACTIVE D'ÉLECTRODE NÉGATIVE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI, ET CELLULE SECONDAIRE AU LITHIUM
(JA) 負極活物質およびその製造方法、並びにリチウム二次電池
Abrégé : front page image
(EN)A negative-electrode active substance containing silicon oxide, wherein the negative-electrode active substance has excellent performance as a negative-electrode active substance for a lithium secondary cell, and, in regard to the silicon oxide after at least one charging cycle, when the solid NMR (29Si-DDMAS) of the Si has been measured, the sums S1, S2, and S3 satisfy the expressions 0.42≤S1/S1+S2+S3)≤0.55 (formula (1)) and 0.21≤S1+S2+S3)≤0.26 (formula (2)), where S1 is the sum of the areas under peaks of the group of signals attributed to silicon having Si-Si bonds), S2 is the sum of the areas under the peaks of the group of signals attributed to silicon having the structure Si(OH)4-n(OSi)n(n=3, 4)), and S3 is the sum of the areas under the peaks of the group of signals attributed to silicon having the structure Si(OLi)4-n(OSi)n(n=0, 1, 2, 3)).
(FR)L'invention concerne une substance active d'électrode négative contenant de l'oxyde de silicium, la substance active d'électrode négative possédant une excellente performance en tant que substance active d'électrode négative pour une cellule secondaire au lithium, et, en regard de l'oxyde de silicium après au moins un cycle de charge, lorsque la RMN du solide (29Si-DDMAS) du Si a été mesurée, les sommes S1, S2 et S3 satisfont les expressions 0,42≤S1/S1+S2+S3≤0,55 (formule (1)) et 0,21≤S1+S2+S3≤0,26 (formule (2)), S1 étant la somme des zones sous des pics du groupe de signaux attribués au silicium ayant des liaisons Si-Si, S2 est la somme des zones sous les pics du groupe de signaux attribués au silicium ayant la structure Si(OH)4-n(OSi)n(n=3, 4), et S3 est la somme des zones sous les pics de groupe de signaux attribués au silicium ayant la structure Si(OLi)4-n(OSi)n(n=0, 1, 2, 3).
(JA) ケイ素酸化物を含有する負極活物質であって、少なくとも1回充電した後のケイ素酸化物について、ケイ素の固体NMR(29Si-DDMAS)測定を行ったとき、Si-Si結合を有するSiに帰属される一群のシグナルのピーク面積の和S1と、Si(OH)4-n(OSi)(n=3,4)構造を持つSiに帰属される一群のシグナルのピーク面積の和S2と、Si(OLi)4-n(OSi)(n=0,1,2,3)構造を持つSiに帰属される一群のシグナルのピーク面積の和S3とが下記の式1および式2:(式1) 0.42≦S1/(S1+S2+S3) ≦0.55; (式2) 0.21≦S3/(S1+S2+S3) ≦0.26を満たす負極活物質は、リチウム二次電池用の負極活物質として性能に優れている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)