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1. (WO2014077039) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/077039    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/076435
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 27.09.2013
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C30B 25/20 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : KAWADA, Yasuyuki; (JP).
YONEZAWA, Yoshiyuki; (JP)
Mandataire : SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 20F, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-249763 13.11.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device having a long carrier lifetime without performing an additional step after producing an SiC monocrystal substrate by chemical vapor deposition. The temperature in the reaction furnace is adjusted to 1700°C (step S5). Next, a raw material gas, an additive gas, a doping gas, and a carrier gas are introduced into the reaction furnace (step S6). An SiC epitaxial film is then grown on the surface of a 4H-SiC substrate by CVD (step S7). Next, the 4H-SiC substrate on which the SiC epitaxial layer has been layered is cooled, in a methyl methane gas atmosphere diluted using hydrogen gas, until the temperature in the reaction furnace has fallen from 1700°C to 1300°C (step S8). The 4H-SiC substrate on which the SiC epitaxial layer has been layered is then cooled, in a hydrogen gas atmosphere, until the temperature in the reaction furnace has fallen to a temperature less than 1300°C (step S9).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur en carbure de silicium ayant une longue durée de vie de porteurs sans réalisation d'une étape additionnelle après fabrication d'un substrat monocristallin en SiC par dépôt chimique en phase vapeur. La température dans le four de réaction est ajustée à 1700°C (étape S5). Ensuite, un matériau brut gazeux, un additif gazeux, un gaz de dopage, et un gaz de porteurs sont introduits dans le four de réaction (étape S6). Un film épitaxial en SiC est ensuite mis en croissance sur la surface d'un substrat en 4H-SiC par CVD (étape S7). Ensuite, le substrat en 4H-SiC sur lequel la couche épitaxiale en SiC a été stratifiée est refroidi, dans une atmosphère de méthyle méthane gazeux dilué utilisant de l'hydrogène gazeux, jusqu'à ce que la température dans le four de réaction ait chuté de 1700°C à 1300°C (étape S8). Le substrat en 4H-SiC sur lequel la couche épitaxiale en SiC a été stratifiée est ensuite refroidi, dans une atmosphère d'hydrogène gazeux, jusqu'à ce que la température dans le four de réaction ait chuté à une température inférieure à 1300°C (étape S9).
(JA) 化学気相成長法によりSiC単結晶基板を作製した後に追加工程を行うことなく、キャリアライフタイムの長い炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。反応炉内の温度を1700℃に調整する(ステップS5)。次に、反応炉内に、原料ガス、添加ガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを導入する(ステップS6)。次に、CVD法により4H-SiC基板の表面にSiCエピタキシャル膜を成長させる(ステップS7)。次に、反応炉内の温度が1700℃から1300℃に低下するまで、水素ガスで希釈したメチルメタンガス雰囲気下で、SiCエピタキシャル膜が積層された4H-SiC基板を冷却する(ステップS8)。次に、反応炉内の温度が1300℃よりも低い温度に低下するまで、水素ガス雰囲気下で、SiCエピタキシャル膜が積層された4H-SiC基板を冷却する(ステップS9)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)