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1. (WO2014076964) CONTENANT DE STOCKAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONTENANT DE STOCKAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/076964    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/006721
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 15.11.2013
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01), C30B 33/12 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : TOYO TANSO CO., LTD. [JP/JP]; 7-12, Takeshima 5-chome, Nishiyodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5550011 (JP)
Inventeurs : TORIMI, Satoshi; (JP).
YABUKI, Norihito; (JP).
NOGAMI, Satoru; (JP)
Mandataire : KATSURAGAWA, Naoki; KATSURAGAWA INT'L PATENT OFFICE Wako Bldg., 2-2-17, Shibata, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300012 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-252754 16.11.2012 JP
Titre (EN) STORING CONTAINER, STORING CONTAINER MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
(FR) CONTENANT DE STOCKAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONTENANT DE STOCKAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 収容容器、収容容器の製造方法、半導体の製造方法、及び半導体製造装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention addresses the issue of providing a storing container wherein Si does not drop onto a single crystal SiC substrate, and Si pressure distribution in an internal space can be made uniform. This storing container stores therein a single crystal SiC substrate to be etched by means of heat treatment under Si vapor pressure. The storage container is formed of a tantalum metal, and has a tantalum carbide layer provided on the internal space side, and a tantalum silicide layer provided on the side further toward the internal space side than the tantalum carbide layer. The tantalum silicide layer supplies Si to the internal space. Furthermore, the tantalum silicide layer is different from adhered Si, and does not melt and drop.
(FR)La présente invention vise à proposer un contenant de stockage dans lequel le Si ne tombe pas sur un substrat de SiC monocristallin, et dans lequel la distribution de la pression du Si dans un espace peut être rendue uniforme. A l'intérieur de ce contenant de stockage est stocké un substrat de SiC monocristallin destiné à être gravé au moyen d'un traitement thermique sous pression de vapeur Si. Le contenant de stockage est formé d'un métal à base de tantale, et muni d'une couche en carbure de tantale appliquée sur le côté de l'espace intérieur, et d'une couche de siliciure de tantale appliquée sur le côté plus proche du côté de l'espace intérieur que ne l'est la couche de carbure de tantale. La couche de siliciure de tantale fournit le Si à l'espace intérieur. En outre, la couche de siliciure de tantale est différente du Si adhérant, et ne fond pas et ne tombe pas.
(JA) この出願は、Siが単結晶SiC基板上に落下せず、内部空間内のSiの圧力分布を均一とすることが可能な収容容器を提供することを課題とする。この収容容器は、Siの蒸気圧下での加熱処理によりエッチングされる単結晶SiC基板を収容する。この収容容器は、タンタル金属からなるとともに、内部空間側に炭化タンタル層が設けられ、当該炭化タンタル層の更に内部空間側にタンタルシリサイド層が設けられる。タンタルシリサイド層は、内部空間にSiを供給する。また、タンタルシリサイド層は、固着したSiと異なり、溶融して落下することがない。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)