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1. (WO2014076893) GERME CRISTALLIN POUR LA CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE SIC, MONOCRISTAL DE SIC ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU MONOCRISTAL DE SIC
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/076893    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/006389
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 29.10.2013
CIB :
C30B 7/00 (2006.01), C30B 9/00 (2006.01), C30B 23/00 (2006.01), C30B 25/00 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO [JP/JP]; 41-1, Yokomichi, Nagakute-shi, Aichi 4801192 (JP).
DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi 4488661 (JP).
SHOWA DENKO K. K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP)
Inventeurs : GUNJISHIMA, Itaru; (JP).
SHIGETOH, Keisuke; (JP).
URAKAMI, Yasushi; (JP).
MATSUSE, Akihiro; (JP)
Mandataire : HATAKEYAMA, Fumio; c/o ANDANTE PATENT OFFICE, 2847-25, Minamiyama, Nagasaka-cho, Owariasahi-shi, Aichi 4880821 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-253765 19.11.2012 JP
Titre (EN) SEED CRYSTAL FOR SIC SINGLE-CRYSTAL GROWTH, SIC SINGLE CRYSTAL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SIC SINGLE CRYSTAL
(FR) GERME CRISTALLIN POUR LA CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE SIC, MONOCRISTAL DE SIC ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU MONOCRISTAL DE SIC
Abrégé : front page image
(EN)A seed crystal for SiC single-crystal growth includes a facet formation region containing a {0001}-plane uppermost portion and n (n >= 3) planes provided enclosing the periphery of the facet formation region. The seed crystal for SiC single-crystal growth satisfies the relationships represented by formula (a): Bkk-1 <= cos-1(sin(2.3 degrees)/sinCk), formula (b): Bkk <= cos-1(sin(2.3 degrees)/sinCk), and formula (c): min(Ck) <= 20 degrees. In the formulas, Ck is an offset angle of a k-th plane, Bkk-1 is an angle defined by an offset downstream direction of the k-th plane and a (k-1)-th ridge line, and Bkk is an angle defined by the offset downstream direction of the k-th plane and a k-th ridge line.
(FR)L'invention porte sur un germe cristallin pour la croissance d'un monocristal de SiC, comprenant une zone de formation de facette contenant une partie supérieure dans le plan {0001} et n (n ≥ 3) plans fournis pour entourer la périphérie de la zone de formation de facette. Le germe cristallin pour la croissance d'un monocristal de SiC satisfait aux relations représentées par la formule (a) : Bkk-1 ≤ cos-1(sin(2,3 degrés)/sinCk), la formule (b) : Bkk ≤ cos-1(sin(2,3 degrés)/sinCk) et la formule (c) : min(Ck) ≤ 20 degrés. Dans les formules, Ck représente un angle d'inclinaison d'un kième plan, Bkk-1 représente un angle délimité par une direction descendante d'inclinaison du kième plan et une (k-1)ième ligne de crête et Bkk représente un angle délimité par la direction descendante d'inclinaison du kième plan et une kième ligne de crête.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)