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1. (WO2014076831) DISPOSITIF D'INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ D'INSPECTION UTILISANT UN FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/076831    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/079892
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 19.11.2012
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), H01J 37/22 (2006.01), H01J 37/28 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventeurs : KIMURA Yoshinobu; (JP).
TSUNO Natsuki; (JP).
OHTA Hiroya; (JP).
YAMADA Renichi; (JP).
OHNO Toshiyuki; (JP).
MORI Yuki; (JP)
Mandataire : INOUE Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR INSPECTION DEVICE, AND INSPECTION METHOD USING CHARGED PARTICLE BEAM
(FR) DISPOSITIF D'INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ D'INSPECTION UTILISANT UN FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 半導体検査装置、及び荷電粒子線を用いた検査方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are: an inspection device that detects with high precision and classifies surface unevenness, step batching, penetrating blade-shaped dislocations, penetrating spiral dislocations, basal plane dislocations, and stacking defects formed in an SiC substrate and an epitaxial layer; and a system. In the inspection device using charged particle beams, a device is used that has an electrode provided between a sample and an objective lens, said device being capable of applying a positive or negative voltage to the electrode and obtaining images. A secondary electron emission rate is measured and energy EL and EH for the charged particles are found. First, an image (first image) is obtained using the EH and positive potential conditions. Next, an image (second image) is obtained using the EL and negative potential conditions. Next, an image (third image) is obtained at the same position as the second image, and by using the EL and positive potential conditions.
(FR)L'invention concerne : un dispositif d'inspection qui détecte avec une précision élevée et classe une irrégularité de surface, un mélange d'étapes, des dislocations pénétrantes en lamelle, des dislocations pénétrantes en spirale, des dislocations de plan de base, et des défauts d'empilement formés dans un substrat en SiC et une couche épitaxiale ; et un système. Dans le dispositif d'inspection utilisant des faisceaux de particules chargées, un dispositif qui possède une électrode disposée entre un échantillon et une lentille d'objectif est utilisé, ledit dispositif étant apte à appliquer une tension positive ou négative sur l'électrode et à obtenir des images. Un taux d'émission d'électrons secondaires est mesuré et des énergies EL et EH pour les particules chargées sont identifiées. D'abord, une image (première image) est obtenue à l'aide de l'EH et de conditions de potentiel positif. Ensuite, une image (deuxième image) est obtenue à l'aide d'EL et de conditions de potentiel négatif. Ensuite, une image (troisième image) est obtenue à la même position que la deuxième image, et à l'aide d'EL et de conditions de potentiel positif.
(JA) SiC基板およびエピタキシャル層に形成された、表面凹凸、ステップバンチング、貫通刃状転位、貫通らせん転位、基底面転位、積層欠陥を高精度に検出し、分類する検査装置、およびシステムを実現する。 荷電粒子線を用いた検査装置において、試料と対物レンズの間に電極を設け、電極に正または負の電圧を印加し、画像を取得できる装置を用いる。二次電子放出率を測定し、荷電粒子のエネルギEL、EHを定める。まず、EHかつ正電位条件で画像を取得する(第1画像)。次に、ELかつ負電位条件で画像を取得する(第2画像)。次に、第2画像と同一場所で、ELかつ正電位条件で画像を取得する(第3画像)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)