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1. (WO2014076303) STRUCTURE DE TRAVERSÉE COMPATIBLE AVEC UN VIDE ÉLECTRIQUE ET ENSEMBLE DÉTECTEUR QUI UTILISE UNE TELLE STRUCTURE DE TRAVERSÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/076303    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/074172
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 19.11.2013
CIB :
H05K 1/02 (2006.01), H01J 49/02 (2006.01)
Déposants : PARTICLE PHYSICS INSIDE PRODUCTS B.V. [NL/NL]; Science Park 105 NL-1098 XG Amsterdam (NL)
Inventeurs : Spaanderdam, Dirk-Jan; (NL).
Jungmann, Julia, Helga; (NL).
Heeren, Ronald, Martinus, Alexander; (NL)
Mandataire : DE VRIES & METMAN; Overschiestraat 180 NL-1062 XK Amsterdam (NL)
Données relatives à la priorité :
12007812.6 19.11.2012 EP
Titre (EN) ELECTRICAL VACUUM-COMPATIBLE FEEDTHROUGH STRUCTURE AND DETECTOR ASSEMBLY USING SUCH FEEDTHROUGH STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE TRAVERSÉE COMPATIBLE AVEC UN VIDE ÉLECTRIQUE ET ENSEMBLE DÉTECTEUR QUI UTILISE UNE TELLE STRUCTURE DE TRAVERSÉE
Abrégé : front page image
(EN)An ultra-high vacuum (UHV) compatible feedthrough structure and an detector assembly using such feedthrough structure is described. The feedthrough structure comprises: a printed circuit board (PCB) for carrying one or more detectors, wherein said PCB comprises a top surface and a back surface, wherein said top surface is covered with a first UHV sealing layer, preferably said first sealing layer comprising a liquid crystal polymer material; and, wherein said top surface comprises one or more first electrical electrodes and at least a first thermally conductive layer extending at least partly over said top surface; and, wherein said back surface comprises one or more second electrodes and at least a second thermally conductive layer extending at least partly over said back surface, said PCB further comprising one or more conductive wires embedded in said PCB for electrically connecting said one or more first electrodes with said one or more second electrodes respectively; and, said PCB further comprising one or more thermally conductive vias embedded in said PCB for thermally connecting said at least first thermally conductive layer with said second thermally conductive layer.
(FR)La présente invention se rapporte à une structure de traversée compatible avec un vide très poussé (UHV) et à un ensemble détecteur qui utilise une telle structure de traversée. La structure de traversée comprend : une carte de circuit imprimé (PCB) destinée à supporter un ou plusieurs détecteurs, ladite carte PCB comprenant une surface supérieure et une surface arrière, ladite surface supérieure étant recouverte avec une première couche d'étanchéité UHV, de préférence, ladite première couche d'étanchéité comprenant un matériau polymère à cristaux liquides ; ladite surface supérieure comprenant une ou plusieurs premières électrodes électriques et au moins une première couche thermoconductrice qui s'étend au moins partiellement sur ladite surface supérieure ; et ladite surface arrière comprenant une ou plusieurs secondes électrodes et au moins une seconde couche thermoconductrice qui s'étend au moins partiellement sur ladite surface arrière, ladite carte PCB comprenant en outre un ou plusieurs fils conducteurs noyés dans ladite carte PCB pour raccorder électriquement ladite ou lesdites premières électrodes à ladite ou auxdites secondes électrodes, respectivement ; et ladite carte PCB comprenant en outre un ou plusieurs trous d'interconnexion thermoconducteurs noyés dans ladite carte PCB pour raccorder thermiquement ladite ou lesdites premières couches thermoconductrices à ladite seconde couche thermoconductrice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)