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1. (WO2014075869) PROCEDE DE FABRICATION D'UN MODULE A PUCE ELECTRONIQUE ANTI-CHARGE ELECTROSTATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/075869    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/071836
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 18.10.2013
CIB :
G06K 19/077 (2006.01), H01L 23/60 (2006.01)
Déposants : GEMALTO SA [FR/FR]; 6, rue de la Verrerie F-92190 Meudon (FR)
Inventeurs : OTTOBON, Stéphane; (FR)
Données relatives à la priorité :
12306399.2 13.11.2012 EP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING AN ANTI-ELECTROSTATIC CHARGE ELECTRONIC CHIP MODULE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN MODULE A PUCE ELECTRONIQUE ANTI-CHARGE ELECTROSTATIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for manufacturing a module (1) having an integrated circuit (electronic) chip, including the following steps: producing a conductive track or pad (2, GND) on an insulating substrate (3) comprising at least one perforation through the insulating substrate opposite at least one ground contact pad (GND); and attaching an integrated circuit chip (4) onto the module using a conductive adhesive, said adhesive extending into said perforation (E, 17) and connecting said ground contact pad (GND) to a surface of the chip. The method is characterized in that it includes the following steps: producing said perforation (E, 17) having a smaller size than a main surface (S) of the chip; and transferring and attaching the chip onto the insulating substrate via the rear surface of the chip. The invention likewise relates to an object having an integrated circuit chip and including the module produced by means of said method.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un module (1) à puce de circuit intégré (électronique) comprenant les étapes suivantes: réalisation de piste ou plage conductrice (2, GND) sur un support isolant (3) comportant au moins une perforation à travers le support isolant en regard d'au moins une plage de contact de masse (GND), fixation d'une puce de circuit intégré (4) sur le module à l'aide d'une colle conductrice, ladite colle s'étendant dans ladite perforation (E, 17) et reliant ladite plage de contact de masse (GND) avec une surface de la puce; Le procédé se distingue en ce qu'il comprend les étapes suivantes: de réalisation de ladite perforation (E, 17) d'une dimension inférieure à une surface principale (S) de la puce, et de report et fixation de la puce sur le support isolant via la face arrière de la puce. L'invention concerne également un objet à puce de circuit intégré comprenant le module obtenu par le procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)