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1. (WO2014075614) DISPOSITIF DE SOUS-MODULE PAR VALVE DE CONVERTISSEUR MODULAIRE MULTI-NIVEAUX À BASE DE DISPOSITIF À THYRISTORS, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/075614    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/087110
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 14.11.2013
CIB :
H02M 3/10 (2006.01)
Déposants : STATE GRID CORPORATION OF CHINA [CN/CN]; No. 86, West Chang'an Street, Xicheng District Beijing 100031 (CN).
STATE GRID SMART GRID RESEARCH INSTITUTE [CN/CN]; Future Technology City, No.270 Shunshalu, Dadongliu Village, Xiaotangshan Town, Changping District Beijing 102211 (CN)
Inventeurs : WEN, Jialiang; (CN).
WANG, Xiuhuan; (CN).
GUO, Gaopeng; (CN).
WU, Jing; (CN).
WANG, Yu; (CN).
YANG, Jie; (CN).
YAO, Tao; (CN)
Mandataire : AMBOYNA INTELLECTUAL PROPERTY AGENT CO.,LTD.; B215 Huajie Building, Dazhongsi No.13, 1th Floor, Haidian District Beijing 100098 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210455692.X 14.11.2012 CN
Titre (EN) THYRISTOR-DEVICE-BASED MMC CONVERTER VALVE SUBMODULE DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE SOUS-MODULE PAR VALVE DE CONVERTISSEUR MODULAIRE MULTI-NIVEAUX À BASE DE DISPOSITIF À THYRISTORS, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE ASSOCIÉ
(ZH) 一种基于晶闸管器件的MMC换流阀子模块装置及其控制方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to the field of power systems and power electronics, in particular to a thyristor-device-based MMC converter valve submodule device and control method thereof. The device comprises a main circuit and forced commutation circuits in parallel connection with the two terminals of the main circuit; the main circuit comprises a thyristor unit I, a thyristor unit II, and a capacitor C; the thyristor unit I and the thyristor unit II are both comprised of a thyristor and a diode in inverse parallel connection with the thyristor. The method comprises the following steps: (1) respectively precharging a capacitor C1 and a capacitor C2 in the two forced commutation circuits; and (2) the submodule works and outputs a voltage. The thyristor-device-based MMC converter valve submodule structure utilizes a thyristor device to replace an IGBT device, thus reducing the switching loss of the device, reducing control complexity, and improving the transformation efficiency of the submodule.
(FR)La présente invention concerne le domaine des systèmes de puissance et des circuits électroniques de puissance, et concerne en particulier un dispositif de sous-module par valve de convertisseur modulaire multi-niveaux à base de dispositif à thyristors, ainsi qu'un procédé de commande associé. Le dispositif comprend un circuit principal et des circuits de commutation forcée en connexion parallèle avec les deux bornes du circuit principal. Le circuit principal comprend une unité de thyristor I, une unité de thyristor II, et un condensateur C. L'unité de thyristor I et l'unité de thyristor II comprennent toutes les deux un thyristor et une diode en connexion parallèle inverse avec le thyristor. Le procédé comprend les étapes suivantes : (1) une étape consistant à précharger respectivement un condensateur C1 et un condensateur C2 dans les deux circuits de commutation forcée ; et (2) une étape dans laquelle le sous-module travaille et sort une tension. La structure de sous-module par valve de convertisseur modulaire multi-niveaux à base de dispositif à thyristors utilise un dispositif de thyristor pour remplacer un dispositif de transistor bipolaire à porte isolée, ce qui permet ainsi de réduire la perte en commutation du dispositif, de réduire la complexité des commandes, et d'améliorer le rendement de transformation du sous-module.
(ZH)本发明涉及电力系统和电力电子领域,具体涉及一种基于晶闸管器件的MMC换流阀子模块装置及其控制方法,该装置包括主电路以及与其两端并联的强迫换流电路;所述主电路包括晶闸管单元I、晶闸管单元II和电容器C;所述晶闸管单元I和晶闸管单元II均由晶闸管和与其反并联的二极管组成。该方法包括下述步骤:(1)分别对两个强迫换流电路中的电容C1和电容C2进行预充电;(2)所述子模块工作并输出电压。基于晶闸管器件的MMC换流阀子模块结构利用晶闸管器件代替IGBT器件,降低了器件的开关损耗,降低了控制复杂度,提高了子模块的转换效率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)