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1. (WO2014075338) CIRCUIT DE TOPOLOGIE À AMPLIFICATEUR ET COURANT CONTINU, ENTRAÎNÉ PAR RÉTROÉCLAIRAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/075338    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/085226
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 25.11.2012
CIB :
H02M 3/335 (2006.01), H05B 41/36 (2006.01)
Déposants : SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; NO.9-2, Tangming Road, Guangming district of Shenzhen, Guangdong 518132 (CN) (Tous Sauf US).
CAO, Dan [CN/CN]; (CN) (US only).
YANG, Xiang [CN/CN]; (CN) (US only)
Inventeurs : CAO, Dan; (CN).
YANG, Xiang; (CN)
Mandataire : COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 307,Floor 3 Block 1 News Building,ShennanZhongRoad Shenzhen, Guangdong 518027 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210460615.3 15.11.2012 CN
Titre (EN) BACKLIGHT-DRIVEN DIRECT-CURRENT BOOSTER TOPOLOGY CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE TOPOLOGIE À AMPLIFICATEUR ET COURANT CONTINU, ENTRAÎNÉ PAR RÉTROÉCLAIRAGE
(ZH) 背光驱动的直流升压拓扑电路
Abrégé : front page image
(EN)A backlight-driven direct-current booster topology circuit which comprises a direct-current voltage input end (10), a direct-current voltage output end (60), a coupled inductor (20), a field-effect transistor (Q), a circuit protection unit (40) and an energy storage module (70). The coupled inductor (20) comprises a primary coil (22) and a secondary coil (24), wherein one end of the primary coil (22) is electrically connected with the direct-current voltage input end (10) and the other end of the primary coil (22) is electrically connected with the field-effect transistor (Q). The energy storage module (70) comprises a first capacitor (C2) and a first diode (D2). One end of the secondary coil (24) is electrically connected with the first capacitor (C2), the other end of the secondary coil (24) is electrically connected with the one end of the primary coil (22) and the first diode (D2), the other end of the first diode (D2) being electrically connected with the other end of the first capacitor (C2). One end of the circuit protection unit (40) is connected to a common end of the first diode (D2) and the first capacitor (C2), the other end of the circuit protection unit (40) is connected to the direct-current voltage output end (60), and the other end of the field-effect transistor (Q) is electrically connected to a ground wire.
(FR)L'invention concerne un circuit de topologie à amplificateur et courant continu, entraîné par rétroéclairage, qui comprend une extrémité d'entrée (10) à courant continu, une extrémité de sortie (60) à courant continu, un inducteur (20) couplé, un transistor à effet de champ (Q), une unité (40) de protection de circuit et un module (70) de stockage d'énergie. L'inducteur (20) couplé comprend une bobine principale (22) et une bobine secondaire (24), une extrémité de la bobine principale (22) étant connectée électriquement à l'extrémité d'entrée (10) à courant continu et l'autre extrémité de la bobine principale (22) est connectée électriquement au transistor à effet de champ (Q). Le module (70) de stockage d'énergie comprend un premier condensateur (C2) et une première diode (D2). Une extrémité de la bobine secondaire (24) est connectée électriquement au premier condensateur (C2), l'autre extrémité de la bobine secondaire (24) est connectée électriquement à une extrémité de la bobine principale (22) et de la première diode (D2), l'autre extrémité de la première diode (D2) étant connectée électriquement à l'autre extrémité du premier condensateur (C2). Une extrémité de l'unité (40) de protection de circuit est connectée à une extrémité commune de la première diode (D2) et au premier condensateur (C2), l'autre extrémité de l'unité (40) de protection de circuit est connectée à l'extrémité de sortie (60) à courant continu et l'autre extrémité du transistor à effet de champ (Q) est connectée électriquement à un fil de terre.
(ZH)一种背光驱动的直流升压拓扑电路,包括:直流电压输入端(10)、直流电压输出端(60)、耦合电感(20)、场效应管(Q)、电路保护单元(40)及一储能模块(70),该耦合电感(20)包括:初级线圈(22)及次级线圈(24),该初级线圈(22)一端与直流电压输入端(10)电性连接,另一端与场效应管(Q)电性连接,该储能模块(70)包括第一电容(C2)及第一二极管(D2),该次级线圈(24)一端与第一电容(C2)电性连接,另一端与初级线圈(22)的另一端及第一二极管(D2)电性连接,该第一二极管(D2)另一端与第一电容(C2)的另一端电性连接,该电路保护单元(40)一端连接至第一二极管(D2)及第一电容(C2)的公共端,另一端连接至直流电压输出端(60),该场效应管(Q)另一端电性连接至地线。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)