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1. (WO2014075172) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE PROGRAMMATION D'UNE MÉMOIRE NON VOLATILE AVEC DES CELLULES SANS JONCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/075172    N° de la demande internationale :    PCT/CA2013/000962
Date de publication : 22.05.2014 Date de dépôt international : 15.11.2013
CIB :
G11C 16/02 (2006.01), G11C 16/06 (2006.01), G11C 16/24 (2006.01)
Déposants : CONVERSANT INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT INC. [CA/CA]; 390 March Road Suite 100 Ottawa, Ontario K2K 0G7 (CA)
Inventeurs : RHIE, Hyoung, Seub; (CA)
Mandataire : HAMMOND, Daniel; Conversant Intellectual Property Management Inc. 390 March Road Suite 100 Ottawa, ON K2K 0G7 (CA)
Données relatives à la priorité :
61/726,775 15.11.2012 US
13/832,785 15.03.2013 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY WITH JUNCTIONLESS CELLS
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE PROGRAMMATION D'UNE MÉMOIRE NON VOLATILE AVEC DES CELLULES SANS JONCTION
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile memory system that has junctionless transistors is provided that uses suppression of the formation of an inversion-layer source and drain in the junctionless transistors to cause a discontinuous channel in at least one string. The system may include NAND flash memory cells composed of junctionless transistors, and has a set of wordlines. During program operation, a selected wordline of the set of wordlines is biased at a program voltage, and wordline voltage low enough to suppress the formation of source/drains is applied on at least one word line on a source side of the selected wordline such that a channel isolation occurs thereby causing the discontinuous channel in the at least string.
(FR)L'invention concerne un système de mémoire non volatile comportant des transistors sans jonction et utilisant une suppression de la formation d'une source et d'un drain de couche d'inversion dans les transistors sans jonction pour entraîner un canal discontinu dans au moins une chaîne. Le système peut comprendre des cellules de mémoire flash NON-ET composées de transistors sans jonction, et comporte un jeu de lignes de mots. Pendant une opération de programme, une ligne de mots sélectionnée du jeu de lignes de mots est polarisée à une tension de programme, et une tension de ligne de mots suffisamment basse pour supprimer la formation de source/drains est appliquée sur au moins une ligne de mots sur un côté source de la ligne de mots sélectionnée de telle sorte qu'un isolement de canal se produit, entraînant ainsi le canal discontinu dans la ou les chaînes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)