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1. (WO2014062681) EMPILEMENT DE COUCHES DE TRANSFERT DE SPIN ORTHOGONAL INVERSÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/062681    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/065055
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 15.10.2013
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : NEW YORK UNIVERSITY [US/US]; One Park Ave., 6th Floor New York, New York 10016 (US)
Inventeurs : KENT, Andrew; (US).
BACKES, Dirk; (US)
Mandataire : MARTIN, Matthew E.; Foley & Lardner LLP 300 K Street NW Washington, District of Columbia 20007 (US)
Données relatives à la priorité :
61/715,111 17.10.2012 US
Titre (EN) INVERTED ORTHOGONAL SPIN TRANSFER LAYER STACK
(FR) EMPILEMENT DE COUCHES DE TRANSFERT DE SPIN ORTHOGONAL INVERSÉ
Abrégé : front page image
(EN)A magnetic device includes a pinned magnetic layer having a first fixed magnetization vector with a first fixed magnetization direction. The magnetic device also includes a free magnetic layer having a variable magnetization vector having at least a first stable state and a second stable state. The magnetic device also has a first non-magnetic layer and a reference. The first non-magnetic layer spatially separates the pinned magnetic layer and the free magnetic layer. The magnetic device also includes a second non-magnetic layer spatially separating the free magnetic layer and the reference magnetic layer. A magnetic tunnel junction, located below the pinned magnetic layer, is formed by the free magnetic layer, the second non-magnetic layer, and the reference magnetic layer. Application of a current pulse, having either positive or negative polarity and a selected amplitude and duration, through the magnetic device switches the variable magnetization vector.
(FR)L'invention concerne un dispositif magnétique qui comprend une couche magnétique piégée ayant un premier vecteur de magnétisation fixe avec une première direction de magnétisation fixe. Le dispositif magnétique comporte également une couche magnétique libre ayant un vecteur de magnétisation variable ayant au moins un premier état stable et un second état stable. Le dispositif magnétique comporte également une première couche amagnétique et une référence. La première couche amagnétique sépare spatialement la couche magnétique piégée et la couche magnétique libre. Le dispositif magnétique comporte également une seconde couche amagnétique qui sépare spatialement la couche magnétique libre et la couche magnétique de référence. Une jonction à effet tunnel magnétique, située au-dessous de la couche magnétique piégée, est formée par la couche magnétique libre, la seconde couche amagnétique et la couche magnétique de référence. L'application d'une impulsion de courant, ayant une polarité positive ou négative et une amplitude et une durée sélectionnées, à travers le dispositif magnétique commute le vecteur de magnétisation variable.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)