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1. (WO2014062634) MAGNÉTORÉSISTANCE AUGMENTÉE DANS UNE PILE DE COUCHES À TRANSFERT DE SPIN ORTHOGONAL INVERSÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/062634    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/064975
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 15.10.2013
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : NEW YORK UNIVERSITY [US/US]; One Park Ave., 6th Floor New York, New York 10016 (US)
Inventeurs : KENT, Andrew; (US).
BACKES, Dirk; (US)
Mandataire : RECHTIN, Michael, D.; Foley & Lardner LLP 300 K. Street N.W. Suite 500 Washington, District of Columbia 20007-5143 (US)
Données relatives à la priorité :
61/715,073 17.10.2012 US
Titre (EN) INCREASED MAGNETORESISTANCE IN AN INVERTED ORTHOGONAL SPIN TRANSFER LAYER STACK
(FR) MAGNÉTORÉSISTANCE AUGMENTÉE DANS UNE PILE DE COUCHES À TRANSFERT DE SPIN ORTHOGONAL INVERSÉ
Abrégé : front page image
(EN)A magnetic device includes a pinned magnetic layer and a free magnetic layer including a first body-centered cubic material and having a variable magnetization vector that has a first stable state and a second stable state. The magnetic device also includes a first non-magnetic layer and a reference layer. The first non-magnetic layer spatially separates the pinned magnetic layer and the free magnetic layer and includes a second body-centered cubic material that interfaces with the first body-centered cubic material. The magnetic device includes a second non-magnetic layer spatially separating the free magnetic layer and the reference magnetic layer. A magnetic tunnel junction, located below the pinned magnetic layer, is formed by the free magnetic layer, the second non-magnetic layer, and the reference magnetic layer. Application of a current pulse through the magnetic device switches the variable magnetization vector.
(FR)Un dispositif magnétique comprend une couche magnétique bloquée et une couche magnétique libre comprenant un premier matériau cubique à corps centré et ayant un vecteur de magnétisation variable qui a un premier état stable et un second état stable. Le dispositif magnétique comprend également une première couche non magnétique et une couche de référence. La première couche non magnétique sépare spatialement la couche magnétique bloquée et la couche magnétique libre et comprend un second matériau cubique à corps centré qui s'interface avec le premier matériau cubique à corps centré. Le dispositif magnétique comprend une seconde couche non magnétique séparant spatialement la couche magnétique libre et la couche magnétique de référence. Une jonction tunnel magnétique, située au-dessous de la couche magnétique bloquée, est formée par la couche magnétique libre, la seconde couche non magnétique et la couche magnétique de référence. L'application d'une impulsion de courant par l'intermédiaire du dispositif magnétique commute le vecteur de magnétisation variable.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)