WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014062602) DISPOSITIFS, SYSTÈMES, ET PROCÉDÉS RELATIFS À LA FORMATION DE TROUS TRAVERSANT UN SUBSTRAT AVEC DES FICHES SACRIFICIELLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/062602    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/064915
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 15.10.2013
CIB :
H01L 23/48 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, P.o. Box 6 Boise, ID 83707-0006 (US)
Inventeurs : PAREKH, Kunal, R.; (US).
KIRBY, Kyle, K.; (US)
Mandataire : WECHKIN, John, M.; Perkins Coie LLP P.O. Box 1247 Seattle, WA 98111-1247 (US)
Données relatives à la priorité :
13/652,033 15.10.2012 US
Titre (EN) DEVICES, SYSTEMS, AND METHODS RELATED TO FORMING THROUGH-SUBSTRATE VIAS WITH SACRIFICIAL PLUGS
(FR) DISPOSITIFS, SYSTÈMES, ET PROCÉDÉS RELATIFS À LA FORMATION DE TROUS TRAVERSANT UN SUBSTRAT AVEC DES FICHES SACRIFICIELLES
Abrégé : front page image
(EN)Methods for making semiconductor devices are disclosed herein. A method configured in accordance with a particular embodiment includes forming one or more openings in a front side of the semiconductor device and forming sacrificial plugs in the openings that partially fill the openings. The method further includes further filling the partially filled openings with a conductive material, where individual sacrificial plugs are generally between the conductive material and a substrate of the semiconductor device. The sacrificial plugs are exposed at a backside of the semiconductor device. Contact regions can be formed at the backside by removing the sacrificial plugs.
(FR)La présente invention porte sur des procédés pour réaliser des dispositifs à semi-conducteurs. Un procédé configuré selon un mode de réalisation particulier comprend la formation d'une ou plusieurs ouvertures dans un côté avant du dispositif à semi-conducteurs et la formation de fiches sacrificielles dans les ouvertures qui remplissent partiellement les ouvertures. Le procédé comprend en outre le remplissage supplémentaire des ouvertures partiellement remplies avec un matériau conducteur, des fiches sacrificielles individuelles étant généralement entre le matériau conducteur et un substrat du dispositif à semi-conducteurs. Les fiches sacrificielles sont présentées au niveau d'un côté arrière du dispositif à semi-conducteurs. Des régions de contact peuvent être formées au niveau du côté arrière par retrait des fiches sacrificielles.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)