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1. (WO2014062586) FINFET RÉSISTANT À UNE FLUCTUATION DE DOPAGE ALÉATOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/062586    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/064885
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 14.10.2013
CIB :
H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SEMI SOLUTIONS LLC [US/US]; 19160 Bainter Avenue Los Gatos, California 95030 (US).
GOLD STANDARD SIMULATIONS LTD. [US/GB]; The Rankine Building Oakfield Avenue Glascow, Scotland G128LT (GB)
Inventeurs : KAPOOR, Ashok K.; (US).
STRAIN, Robert J.; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
61/713,632 15.10.2012 US
14/051,163 10.10.2013 US
Titre (EN) RANDOM DOPING FLUCTUATION RESISTANT FINFET
(FR) FINFET RÉSISTANT À UNE FLUCTUATION DE DOPAGE ALÉATOIRE
Abrégé : front page image
(EN)An improved fin field-effect transistor (FinFET) is built on a compound fin, which has a doped core and lightly doped epitaxial channel region between that core and the gate dielectric. The improved structure reduces FinFET random doping fluctuations when doping is used to control threshold voltage. Further, the transistor design affords better source and drain conductance when compared to prior art FinFETs. Three representative embodiments of the key structure are described in detail.
(FR)Selon la présente invention, un transistor à effet de champ à ailette (FinFET) amélioré est construit sur une ailette de composé, qui a un noyau dopé et une région de canal épitaxiale légèrement dopée entre ce noyau et le diélectrique de grille. La structure améliorée réduit des fluctuations de dopage aléatoire de FinFET lorsqu'un dopage est utilisé pour commander une tension de seuil. De plus, la conception de transistor permet une meilleure conductance de source et de drain par rapport aux FinFET de l'état antérieur de la technique. Trois modes de réalisation représentatifs de la structure clé sont décrits en détail.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)