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1. (WO2014062376) PROCÉDÉ POUR DOUBLE GRILLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/062376    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/062968
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 02.10.2013
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : BRAND, Adam; (US).
WOOD, Bingxi; (US)
Mandataire : BERNARD, Eugene J.; Two Embarcadero Center Eighth Floor San Francisco, California 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
61/716,134 19.10.2012 US
14/016,865 03.09.2013 US
Titre (EN) DUAL GATE PROCESS
(FR) PROCÉDÉ POUR DOUBLE GRILLE
Abrégé : front page image
(EN)The control of gate widths is improved for system-on-a-chip (SoC) devices which require multiple gate dielectric "gate" thicknesses, e.g., for analog and digital processing on the same chip. A hard mask is formed to protect a thick gate while the thin gate region is etched to remove oxide (sometimes referred to as a preclean step). The patterned substrate is then processed to selectively deposit a second thickness of gate material. The thin gate may be silicon oxide and the physical thickness of the thin gate may be less than that of the thick gate. In a preferred embodiment, the substrate is not exposed to air or atmosphere after the hardmask is removed.
(FR)Selon l'invention, la régulation des largeurs de grille est améliorée pour des dispositifs à système sur une puce (SoC) qui nécessitent de multiples épaisseurs de diélectrique de grille, par exemple pour le traitement analogique et numérique sur la même puce. Un masque dur est formé pour protéger une grille épaisse pendant que la région de grille fine est gravée pour enlever l'oxyde (étape parfois appelée le pré-nettoyage). Le substrat au contour modelé est ensuite traité pour déposer sélectivement une deuxième épaisseur de matériau de grille. La grille fine peut être de l'oxyde de silicium et l'épaisseur physique de la grille fine peut être inférieure à celle de la grille épaisse. Dans un mode de réalisation préféré, le substrat n'est pas exposé à l'air ou à l'atmosphère après avoir enlevé le masque dur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)