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1. (WO2014062000) SUSCEPTEUR D'ÉPITAXIE ET PROCÉDÉ D'ÉPITAXIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/062000    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/009259
Date de publication : 24.04.2014 Date de dépôt international : 16.10.2013
CIB :
H01L 21/683 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01)
Déposants : LG SILTRON INC. [KR/KR]; 53, Imsu-ro Gumi-si Gyeongsangbuk-do 730-350 (KR)
Inventeurs : KANG, Yu-Jin; (KR)
Mandataire : SEO, Kyo Jun; 4th Fl., Hyun Juk Bldg. 832-41, Yeoksam-dong Gangnam-gu Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0114743 16.10.2012 KR
10-2013-0121561 11.10.2013 KR
Titre (EN) SUSCEPTOR FOR EPITAXIAL GROWING AND METHOD FOR EPITAXIAL GROWING
(FR) SUSCEPTEUR D'ÉPITAXIE ET PROCÉDÉ D'ÉPITAXIE
(KO) 에피택셜 성장용 서셉터 및 에피택셜 성장방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a susceptor for epitaxial growing, which is for manufacturing an epitaxial wafer made by performing a reaction of a wafer and a source gas inside a chamber and growing an epitaxial layer, comprising: a pocket provided with an opening on which the wafer is arranged; a ledge portion for supporting the wafer; and a gas control member positioned on the outer circumferential portion of the upper surface of the susceptor opening, wherein the gas control member comprises a first gas control member which is formed on a predetermined area opposite a crystalline direction of the wafer (110), a second gas control member which is formed on a predetermined area opposite the crystalline direction of the wafer (100), and a third gas control member which is formed between the first gas control member and the second gas control member, wherein the first gas control member and the second gas control member are formed so that the heights thereof have a predetermined ratio, and wherein the first, second, and third gas control member are formed so that tilt angles thereof from the center of the wafer toward a susceptor direction are different from each other. As a result, when forming the epitaxial layer on a semiconductor wafer, gas flow can be controlled by forming the heights of devices for increasing/decreasing gas flow around the outer circumferential portion of the susceptor (gas control members) differently according to crystalline directions, thereby enabling control so that the thickness of the epitaxial wafer is uniformly formed.
(FR)La présente invention concerne un suscepteur d'épitaxie destiné à la fabrication d'une tranche épitaxiée par réaction d'une tranche et d'un gaz source à l'intérieur d'une chambre et par croissance d'une couche épitaxiée, comprenant : une poche dotée d'une ouverture sur laquelle est disposée la tranche ; une partie d'appui pour supporter la tranche ; et un élément de contrôle de gaz disposé sur la partie circonférentielle extérieure de la surface supérieure de l'ouverture du suscepteur, ledit élément de contrôle de gaz comprenant un premier élément de contrôle de gaz formé sur une zone prédéterminée opposée à une direction cristallographique de la tranche (110), un deuxième élément de contrôle de gaz formé sur une zone prédéterminée opposée à une direction cristallographique de la tranche (100), et un troisième élément de contrôle de gaz formé entre le premier élément de contrôle de gaz et le deuxième élément de contrôle gaz. Le premier élément de contrôle de gaz et le deuxième élément de contrôle de gaz sont formés de telle manière que leurs hauteurs présentent un rapport prédéterminé. De plus, le premier, le deuxième et le troisième élément de contrôle de gaz sont formés de telle manière que leurs angles d'inclinaison en allant du centre de la tranche vers le suscepteur sont différents les uns des autres. Ainsi, lors de la formation de la couche épitaxiée sur une tranche de semi-conducteur, le flux gazeux peut être régulé en différenciant les hauteurs des dispositifs conçus pour augmenter/réduire le flux gazeux autour de la partie circonférentielle extérieure du suscepteur (éléments de contrôle de gaz) en fonction des directions cristallographiques afin d'assurer le contrôle de telle façon que l'épaisseur de la tranche épitaxiée est formée de manière uniforme.
(KO)본 발명은 챔버 내에서 웨이퍼와 소스 가스를 반응시켜 에피택셜층을 성장시킨 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위한 서셉터로서, 상기 웨이퍼가 배치되는 개구부가 형성된 포켓; 상기 웨이퍼가 지지되는 렛지부; 및 상기 서셉터 개구부 윗면의 외주부에 위치하는 가스조절 부재;를 포함하고, 상기 가스조절 부재는 상기 웨이퍼 <110> 결정방향에 대향하는 소정의 영역에 형성되는 제1 가스조절 부재와, 상기 웨이퍼 <100> 결정방향에 대향하는 소정의 영역에 제2 가스조절 부재 및 상기 제1 가스조절 부재와 상기 제2 가스조절 부재 사이에 형성되는 제3 가스조절 부재를 포함하고, 상기 제1 가스조절 부재와 상기 제2 가스조절 부재의 높이는 기설정된 비율를 가지도록 형성되고, 상기 제1, 제2 및 제3 가스조절 부재는 웨이퍼의 중심방향에서 서셉터 방향으로의 경사도가 서로 상이하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 성장용 서셉터. 따라서, 반도체 웨이퍼에 에피택셜층을 형성시, 서셉터의 외주부에 가스흐름 증가 및 감소 장치(가스 조절 부재)의 높이를 결정 방위별로 다르게 형성함으로 인해 가스 흐름을 제어할 수 있으므로 에피택셜 웨이퍼의 두께를 균일하도록 제어할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)